[发明专利]一种面向工艺腔室气流分布调节的CVD设备喷淋头

说明书

技术领域

本发明涉及一种化学气相沉积（CVD）设备领域，特别涉及一种面向工艺腔室气流分布调节的CVD设备喷淋头。

背景技术

化学气相沉积（CVD）是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，进而制得固体材料的工艺技术，其通过化学气相沉积装置得以实现。现阶段化学气相沉积（CVD）设备，如等离子增强化学气相沉积（PECVD）设备、低压化学气相沉积（LPCVD）设备、金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）设备己经广泛应用于半导体器件制造领域。以下以离子增强化学气相沉积（PECVD）设备为例对现有技术的化学气相沉积设备进行简单说明。

参见图1，以等离子增强的化学气相沉积（PECVD）装备设计与控制为例进行说明。PECVD工艺是一个典型的多物理场耦合工艺，其中主要包含温度场、流场、等离子体，其工艺品质相关物理场耦合协调作用的结果。包括工艺腔室1，腔室舱门2，喷淋头3，远程等离子源4，质量流量控制器5，射频匹配器6，高频源7，加热盘8，低频源9，基台调整支柱10，真空泵11，压力表12，顶针盘13，喷淋头板面14。

所述工艺腔室1和腔室舱门2的特征在于当腔室舱门关闭时，工艺腔室内部与外界隔离，实现真空密封；所述远程等离子源4的特征在于，产生刻蚀等离子体，用于清洗附着在腔室内壁的沉积物；所述质量流量控制器5的特征在于，能够对流入工艺腔室的反应气体流量进行调控，并通过所述喷淋头3对气流均匀性进行调节；所述高频源7、低频源9的特征在于，在工艺腔室内产生射频电磁场，使反应气体解离，进而产生等离子体，并通过射频匹配器6对包含等离子的射频回路阻抗特性进行调控，使得尽可能多的射频功率被注入工艺腔室，用于激发等离子而不被反射；所述基台调整支柱10，其特征在于，调整射频电容耦合放电的极间距；所述顶针盘13的特征在于，能够将喷淋头板面14顶起和落下，主要用于将喷淋头板面14放入和取出工艺腔室时；所述真空泵11、压力表12的特征在于，能够对腔室内真空度进行调节；所述喷淋头板面14的特征在于，放置在加热盘8上，薄膜在喷淋头板面14上沉积；所述加热盘8的特征在于，作为射频电容耦合放电回路的下电极，并能够对所述喷淋头板面14进行加热，可调节喷淋头板面14的温度。

CVD工艺是典型的的多物理场耦合工艺，其中物质输运对工艺性能具有极其重要的影响，而喷淋头布气系统是工艺腔室内调节物质输运的最重要的部件，其中喷淋头板面上布置有数千小孔，现有的喷淋头布气系统设计，其板面上的小孔普遍是均匀性布置的，而没有发挥其对工艺腔室内的气流分布的灵活调节的潜力，因此，当出现薄膜沉积工艺偏差时，往往采用一些比较刚性的手段，如增加或减少某些部件或其结构尺寸，这种非连续性的均匀设计方案，对矫正具有连续分布的工艺偏差是很困难的，工艺性能提高的程度非常有限，同时对设备的修改往往也较大。然而，如果考虑对喷淋头板面小孔结构或布局进行连续的非均匀设计来矫正工艺偏差，那么将具有非常高的调节精度及灵活性，并且对设备其他部分没有任何更改。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种面向工艺腔室气流分布调节的CVD设备喷淋头，实现工艺腔室内气流分布的精细化调节，进而实现薄膜沉积品质分布的精细化调节。

本发明采用的技术方案为：

该喷淋头上设置若干个台阶形的喷淋孔，喷淋孔由上部直径较大的大圆孔和下部直径较小的小圆孔构成；

该喷淋孔有以下几种布置方式：

从喷淋头板面的中心到边缘，保持喷淋孔的台阶深度相同，喷淋孔的大圆孔或小圆孔的孔径逐渐增大，进而实现喷淋头板面阻抗从中心到边缘逐渐减小，预期气流通量逐渐增大；

或者从喷淋头板面的中心到边缘，保持喷淋孔的大圆孔及小圆孔的孔径不变，喷淋孔的台阶深度逐渐增大，进而实现喷淋头板面阻抗从中心到边缘逐渐减小，预期气流通量逐渐增大；

或者从喷淋头板面的中心到边缘，喷淋孔的大圆孔孔径、小圆孔孔径以及喷淋孔的台阶深度三个参数中的一个保持不变，另两个参数同时逐渐增大，进而实现喷淋头板面阻抗从中心到边缘逐渐减小，预期气流通量逐渐增大；

或者从喷淋头板面的中心到边缘，喷淋孔的大圆孔孔径、小圆孔孔径以及喷淋孔的台阶深度三个参数同时逐渐增大，进而实现喷淋头板面阻抗从中心到边缘逐渐减小，预期气流通量逐渐增大。

所述喷淋孔以二维六边形阵列排列。