[发明专利]基于自旋霍尔效应的磁性元件、微波振荡器及其制法在审
| 申请号： | 201410028015.9 | 申请日： | 2014-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN103779495A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 方彬;曾中明;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于自旋霍尔效应的磁性元件、微波振荡器及其制法。该磁性元件包括能够诱导电子产生自旋流的非磁性金属膜层(ML)以及形成在所述非磁性金属膜层(ML)上的、具有平衡磁化的磁性膜层(FL)。该微波振荡器包括该磁性元件，该磁性元件形成在衬底层（SL）上，且该磁性元件上设有金属电极（EL）。该微波振荡器可利用薄膜沉积技术、光刻和/或刻蚀技术等加工形成。本发明的磁性元件结构有助于减少微波振荡器的噪音，器件微波频率在外加电流的作用下可调范围宽，输出微波信号性能优异；而本发明的自旋微波振荡器具有尺寸小、结构简单等特点，制备工艺简单，与传统微纳米加工工艺兼容，易于大批量制备，可作为微波源广泛应用于电子、通信等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 自旋 霍尔 效应 磁性 元件 微波 振荡器 及其 制法 | ||
【主权项】：
一种基于自旋霍尔效应的磁性元件，其特征在于包括：能够诱导电子产生自旋流的非磁性金属膜层(ML)，以及，形成在所述非磁性金属膜层(ML)上的、具有平衡磁化的磁性膜层 (FL)。
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