[发明专利]碳化硅功率元件有效
| 申请号： | 201410027152.0 | 申请日： | 2014-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN104795435B | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 李传英;李隆盛;颜诚廷;洪建中 | 申请（专利权）人： | 瀚薪科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 余刚,李静 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种碳化硅功率元件，包含有一碳化硅基板、一功率元件结构及一终端结构。该碳化硅基板具有一漂移层，该漂移层具有一第一导电性并包含有一主动区域及一终端区域；该功率元件结构设置于该主动区域；而该终端结构设置于该终端区域并具有一第二导电性，该终端结构包含有至少一围绕于该功率元件结构的外侧并与该功率元件结构相邻的第一掺杂环及至少一围绕该第一掺杂环的第二掺杂环。据此，本发明通过设置该第一掺杂环具有一小于该第二掺杂环的第一掺杂浓度以及一大于该第二掺杂环的第一掺杂深度，提高该碳化硅功率元件的崩溃电压。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 功率 元件 | ||
【主权项】：
一种碳化硅功率元件，其特征在于，所述碳化硅功率元件包含有：一具有一漂移层的碳化硅基板，所述漂移层具有一第一导电性并且所述漂移层包含有一主动区域以及一环绕所述主动区域的终端区域；一设置于所述主动区域上的功率元件结构；以及一设置于所述终端区域上并具有一与所述第一导电性相异的第二导电性的终端结构，所述终端结构包含有至少一围绕于所述功率元件结构的外侧并与所述功率元件结构相邻的第一掺杂环、至少一围绕所述第一掺杂环的第二掺杂环、以及至少一与所述第一掺杂环重叠的辅助环；其中，所述第一掺杂环相较于所述第二掺杂环具有一较小的第一掺杂浓度以及一较大的第一掺杂深度，所述辅助环具有一小于所述第一掺杂深度的第三掺杂深度以及大于所述第一掺杂浓度的第三掺杂浓度。
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