[发明专利]加源场板耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种加源场板耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法，主要解决目前AlGaN/GaN高迁移率晶体管获得高频率的问题。所述结构包括衬底、本征GaN层、AlN隔离层、本征AlGaN层、AlGaN掺杂层、栅电极、源电极、漏电极、源场板、绝缘层、钝化层以及用于调节沟道电场的硅化物。AlGaN掺杂层位于本征AlGaN层之上，电极以及绝缘层位于AlGaN层之上，硅化物位于绝缘层之上。在衬底上外延生长耗尽型AlGaN/GaN异质结材料，并在该结构上形成栅极、源极和漏极，然后淀积一层绝缘层，在绝缘层上(栅漏区域以及栅源区域间)，形成硅化物(NiSi,TiSi₂等等)，将厚绝缘层上的硅化物与源极电连接形成源场板结构。最后淀积钝化层实现器件的钝化。本发明具有器件频率高，工艺重复性和可控性高的优点，可用于低导通电阻、高工作频率、高击穿电压的耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件。

主权项

一种加源场板耗尽型AlGaN/GaN HEMT器件结构，其特征在于：所述结构包括衬底、本征GaN层、AlN隔离层、本征AlGaN层、AlGaN掺杂层、栅电极、源电极、漏电极、源场板、绝缘层、钝化层以及用于调节沟道电场的硅化物；所述AlGaN掺杂层位于本征AlGaN层之上，电极以及绝缘层位于AlGaN层之上，硅化物位于绝缘层之上；在衬底上外延生长耗尽型AlGaN/GaN异质结材料，并在该异质结材料上形成栅极、源极和漏极，然后淀积一层绝缘层，在绝缘层上的栅漏区域以及栅源区域间，形成硅化物，将厚绝缘层上的硅化物与源极电连接形成源场板结构，最后淀积钝化层实现器件的钝化。