[发明专利]用于SRAM写入辅助的负位线升压方案有效
| 申请号： | 201410020019.2 | 申请日： | 2014-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN104637517B | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 谢维哲;林洋绪;陆晓文;郑基廷;张琮永 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的器件包括连接在位线电压节点和接地节点之间的晶体管开关，以及连接至晶体管开关的栅极节点的升压信号电路，其中，该升压信号电路提供响应于写入使能信号的升压信号。该器件还包括第一延迟元件和与该第一延迟元件串联的第一电容器。第一电容器具有连接至位线电压节点的第一端和通过第一延迟元件连接至栅极节点的第二端。本发明还包括用于SRAM写入辅助的负位线升压方案。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 sram 写入 辅助 负位线 升压 方案 | ||
【主权项】：
一种存储器件，包括：晶体管开关，连接在位线电压节点和接地节点之间；升压信号电路，与所述晶体管开关的栅极节点连接，所述升压信号电路提供响应写入使能信号的升压信号；第一延迟元件；以及第一电容器，与所述第一延迟元件串联，并且具有与所述位线电压节点连接的第一端和通过所述第一延迟元件与所述栅极节点连接的第二端；第二延迟元件；以及第二电容器，与所述第二延迟元件串联，并且具有与所述位线电压节点连接的第一端和通过所述第二延迟元件与所述第一电容器的第二端连接的第二端。
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