[发明专利]高性能和高可靠性闪存存储器的潜在的缓慢擦除位的动态检测方法有效

专利信息
申请号: 201410019313.1 申请日: 2014-01-16
公开(公告)号: CN103943150B 公开(公告)日: 2019-01-04
发明(设计)人: 穆甫臣;何晨 申请(专利权)人: 恩智浦美国有限公司
主分类号: G11C29/04 分类号: G11C29/04
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 刘倜
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明公开了一种用于检测非易失性存储器中的潜在的缓慢位(例如,潜在的缓慢擦除位)的方法和装置。对擦除周期期间的地址中的软编程脉冲的最大数量计数。根据至少一个实施例,对在所述擦除周期期间的擦除脉冲的数量计数。根据不同实施例,相比于先前擦除周期,对所述软编程脉冲的最大数量相比于先前擦除周期是否已经以至少预定的最小速率的速率增加,对所述软编程脉冲的最大数量是否已经超过预定的阈值,对所述擦除脉冲的数量相比于先前擦除周期是否已经增加,或对其组合做出决定。响应于这样的决定,基于NVM中的缓慢位的存在或不存在,NVM通过或不合格。
搜索关键词: 性能 可靠性 闪存 存储器 潜在 缓慢 擦除 动态 检测 方法
【主权项】:
1.一种用于检测在非易失性存储器(NVM)中的潜在的缓慢擦除位的方法,包括:确定用于在当前擦除周期期间擦除NVM存储器单元的软编程脉冲的最大数量,从相应的多个存储器单元的多个软编程脉冲计数确定所述最大数量;确定所述当前擦除周期的所述软编程脉冲的最大数量相比于至少一个先前擦除周期的先前软编程脉冲的最大数量之间的变化率;以及响应于所述变化率超过预定的第一阈值,断言失败指示器。
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