[发明专利]高性能和高可靠性闪存存储器的潜在的缓慢擦除位的动态检测方法

权利要求书

1.一种用于检测在非易失性存储器(NVM)中的潜在的缓慢擦除位的方法，包括：

确定用于在当前擦除周期期间擦除NVM存储器单元的软编程脉冲的最大数量，从相应的多个存储器单元的多个软编程脉冲计数确定所述最大数量；

确定所述当前擦除周期的所述软编程脉冲的最大数量相比于至少一个先前擦除周期的先前软编程脉冲的最大数量之间的变化率；以及

响应于所述变化率超过预定的第一阈值，断言失败指示器。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述断言所述失败指示器还包括：

基于所述变化率超过所述预定的第一阈值并响应于用于在所述当前擦除周期期间擦除所述NVM存储器单元的所述软编程脉冲的最大数量已经超过预定的第二阈值，断言所述失败指示器。

3.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述变化率包括：

对所述当前擦除周期期间擦除脉冲的数量计数；以及

相比于所述先前擦除周期期间的先前擦除脉冲的数量，检测擦除脉冲的数量的增加。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括：

在所述当前擦除周期之前，将所述先前软编程脉冲的最大数量和所述先前擦除脉冲的数量存储在测试NVM区域中。

5.根据权利要求4所述的方法，还包括：

从所述测试NVM区域取回所述先前软编程脉冲的最大数量和所述先前擦除脉冲的数量。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述预定的第一阈值相比于所述先前擦除周期中的所述先前软编程脉冲的最大数量至少增加20％。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述预定的第一阈值相比于所述先前擦除周期中的所述先前软编程脉冲的最大数量至少增加50％。

8.一种非易失性存储器(NVM)包括：

位单元阵列，包括用于存储多个位的多个位单元，所述位单元阵列包括用于脉冲计数存储的测试存储器区域；以及

NVM控制器，耦接至所述位单元阵列，所述NVM控制器被配置用于使所述NVM控制器确定用来在当前擦除周期期间擦除所述多个位单元的位单元的软编程脉冲的最大数量、确定所述当前擦除周期的所述软编程脉冲的最大数量相比于至少一个先前擦除周期的先前软编程脉冲的最大数量之间的变化率、以及基于所述变化率超过预定的第一阈值断言失败信号以使所述NVM不合格。

9.根据权利要求8所述的NVM，其中所述NVM控制器还被配置用于基于所述变化率超过所述预定的第一阈值并响应于所述软编程脉冲的最大数量已经超过预定的第二阈值，断言指示NVM不合格的失败信号。

10.根据权利要求9所述的NVM，其中所述NVM控制器还被配置用于对所述当前擦除周期期间擦除脉冲的数量计数，以及用于检测擦除脉冲的数量相比于所述先前擦除周期期间的先前擦除脉冲的数量的增加。

11.根据权利要求10所述的NVM，其中所述NVM控制器还被配置用于将所述先前软编程脉冲的最大数量和所述先前擦除脉冲的数量存储在测试NVM区域中。

12.根据权利要求10所述的NVM，其中所述NVM控制器还被配置用于从所述测试NVM区域取回所述先前软编程脉冲的最大数量和所述先前擦除脉冲的数量。

13.根据权利要求8所述的NVM，其中所述预定的第一阈值相比于所述先前擦除周期中的所述先前软编程脉冲的最大数量至少增加20％。

14.根据权利要求8所述的NVM，其中所述预定的第一阈值相比于所述先前擦除周期中的所述先前软编程脉冲的最大数量至少增加50％。