[发明专利]GPP芯片腐蚀方法有效
| 申请号： | 201410018975.7 | 申请日： | 2014-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN103715079A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 邱志述;徐刚 | 申请（专利权）人： | 乐山无线电股份有限公司;成都先进功率半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人： | 熊晓果;林辉轮 |
| 地址： | 614000 *** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GPP芯片腐蚀方法，包括步骤：一、将光刻处理完毕后的硅片竖直放入腐蚀液中进行一阶段腐蚀，硅片在腐蚀液中的位置为初始位置；二、步骤一中腐蚀完成后，取出硅片，以所述初始位置为参考顺时针旋转硅片90°后将硅片竖直放入腐蚀液进行二阶段腐蚀；三、步骤二中腐蚀完成后，取出硅片，在步骤二硅片旋转90°后的基础上再将硅片顺时针旋转90°后竖直放入腐蚀液进行三阶段腐蚀；四、步骤三中腐蚀完成后，取出硅片，在步骤三硅片旋转90°的基础上再将硅片顺时针旋转90°后竖直放入腐蚀液进行四阶段腐蚀；五、步骤四完成后取出硅片进行清洗。本发明方法腐蚀的硅片的沟槽深度的均匀性好，使制作出的GPP芯片性能参数更优。 | ||
| 搜索关键词： | gpp 芯片 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种GPP芯片腐蚀方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤一、将光刻处理完毕后的硅片竖直放入腐蚀液中进行一阶段腐蚀，腐蚀时间为9‑11分钟，硅片此时在腐蚀液中的位置为初始位置；步骤二、步骤一中腐蚀完成后，取出硅片，以所述初始位置为参考顺时针旋转硅片90°后将硅片竖直放入腐蚀液进行二阶段腐蚀，腐蚀时间为6‑8分钟；步骤三、步骤二中腐蚀完成后，取出硅片，在步骤二硅片旋转90°后的基础上再将硅片顺时针旋转90°后竖直放入腐蚀液进行三阶段腐蚀，腐蚀时间为5‑7分钟；步骤四、步骤三中腐蚀完成后，取出硅片，在步骤三硅片旋转90°的基础上再将硅片顺时针旋转90°后竖直放入腐蚀液进行四阶段腐蚀，腐蚀时间为4‑6分钟；步骤五、步骤四完成后取出硅片进行清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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