[发明专利]压应变GeSnp沟道金属氧化物半导体场效应晶体管有效
| 申请号： | 201410015476.2 | 申请日： | 2014-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN103762242A | 公开（公告）日： | 2014-04-30 |
| 发明（设计）人： | 韩根全;刘艳;赵斌 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/12 |
| 代理公司： | 重庆华科专利事务所 50123 | 代理人： | 康海燕 |
| 地址： | 400030 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明提供一种压应变GeSnp沟道MOSFET。该MOSFET(10)结构包括：衬底（101）、弛豫SiGeSn缓冲层（107），源和漏（102,103）、GeSn沟道（104）、栅电极绝缘介电质层（105）以及栅电极（106）。SiGeSn缓冲层（107）层的晶格常数比GeSn沟道（104）晶格常数小，GeSn沟道形成XY面内的双轴压应变。这种应变可提高GeSn沟道（104）空穴迁移率，从而提高MOSFET性能。 | ||
| 搜索关键词： | 应变 gesnp 沟道 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种双轴压应变GeSn p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，包括：一衬底（101）；一弛豫SiGeSn缓冲层（107），位于衬底上；一GeSn沟道（104），位于所述 SiGeSn层（107）上；一栅电极绝缘介电质层（105），位于沟道上；一栅电极（106），位于所述栅电极绝缘介电质层上;一源极（102）与一漏极（103），分别位于所述栅电极（106）的两侧；所述弛豫SiGeSn缓冲层晶格常数比GeSn沟道层晶格常数小。
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