[发明专利]晶片的加工方法有效
申请号: | 201410014268.0 | 申请日: | 2014-01-13 |
公开(公告)号: | CN103943488B | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 茶野伦太郎;牧野香一;凑浩吉 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人: | 李辉,蔡丽娜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种晶片的加工方法,在后面的工序中,以能够避免在卡盘工作台和晶片之间存在异物而引起的裂纹等不良状况的方式对晶片进行加工。加工装置构成为将晶片(W)的中心定位在卡盘工作台(5)的旋转中心来保持晶片(W),将测量构件(6)定位在晶片(W)的外周倒角部(91)附近,一边使卡盘工作台(5)旋转一边在晶片(W)的外周倒角部(91)整周的范围对高度进行测量,在晶片(W)的高度变动超过规定的值的情况下报知错误,在晶片(W)的变动处于规定的值以下的情况下利用切削刀具除去晶片(W)的外周倒角部(91)。 | ||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】:
一种晶片的加工方法,其用于除去具有外周倒角部的晶片的该外周倒角部,其特征在于,所述晶片的加工方法具有以下工序:晶片保持工序,以将晶片的中心定位在能够旋转的卡盘工作台的旋转中心的方式将晶片保持在该卡盘工作台的上表面上;外周高度测量工序,在该晶片保持工序之后,将测量高度的测量构件定位在晶片的外周倒角部附近,一边使卡盘工作台旋转一边在整周的范围对晶片的上表面侧的外周倒角部的高度进行测量;报知工序,当在该外周高度测量工序中高度变动超过规定的值时报知错误;去除工序,在该外周高度测量工序中在整周的范围高度变动都处于规定的值以下时,利用切削刀具除去晶片的外周倒角部;以及清洗工序,在该报知工序之后,对晶片的背面及该卡盘工作台的表面进行清洗,在该清洗工序之后,再次实施该晶片保持工序及该外周高度测量工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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