[发明专利]晶片的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及利用切削刀具对晶片的外周缘进行切削的晶片的加工方法。

背景技术

近年来，随着电气设备的薄型化和小型化，期望晶片的薄化。并且，在过去，对晶片的外周实施了倒角加工以防止制造工序中的破裂和起尘。因此，存在这样的问题：当晶片的厚度被磨削完成至例如100μm以下时，倒角后的晶片的外周成为刀刃状，从外周侧产生缺欠而导致晶片破损。为了解决该问题，提出了如下方法：在晶片的薄化后将可能变成刀刃的外周倒角部在磨削加工之前从晶片的外周部除去（修整）（例如，参照专利文献1）。

在专利文献1记载的加工方法中，在卡盘工作台上保持晶片，利用切削刀具从晶片的表面侧切入晶片的外周。并且，使卡盘工作台旋转一周，由此利用切削刀具切削晶片的外周，晶片的上表面侧的外周倒角部被去除。在这种情况下，晶片的外周被切削刀具切入得比目标完成厚度深。在后续阶段的磨削加工中，从背面侧磨削晶片并磨削至目标完成厚度。因此，在磨削后的晶片的外周不会残留刀刃，从而防止了在晶片的外周产生缺欠。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2000-173961号公报

可是，在修边中，为了防止由于带的厚度变动而引起加工高度变动，不在晶片的背面粘贴保护带而直接将晶片载置在卡盘工作台上。因此，当在卡盘工作台的上表面和晶片的外周倒角部的背面之间混入有污物等异物的情况下，不但由于异物的存在而隆起的部分的切深变深，而且在后面的工序中有可能产生从异物的存在部位产生裂纹等不良状况。

发明内容

本发明正是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种晶片的加工方法，能够避免在后面的工序中由于在卡盘工作台和晶片之间夹有异物而引起的裂纹等不良状况。

本发明的晶片的加工方法用于除去具有外周倒角部的晶片的该外周倒角部，其特征在于，所述晶片的加工方法具有以下工序：晶片保持工序，以将晶片的中心定位在能够旋转的卡盘工作台的旋转中心的方式将晶片保持在该卡盘工作台的上表面上；外周高度测量工序，在该晶片保持工序之后，将测量高度的测量构件定位在晶片的外周倒角部附近，一边使卡盘工作台旋转一边在晶片的外周倒角部整周的范围对高度进行测量；报知工序，当在该外周高度测量工序中高度变动超过规定的值时报知错误；以及去除工序，在该外周高度测量工序中在整周的范围高度变动都处于规定的值以下时，利用切削刀具除去晶片的外周倒角部。

根据该结构，在除去晶片的外周倒角部之前测量晶片的外周高度。并且，在晶片外周的高度变动在整周的范围都处于规定的值以下时，判断为在卡盘工作台和晶片之间没有混入异物，并对晶片的外周倒角部进行去除加工。另一方面，在晶片外周的高度变动超过规定的值时，判断为在卡盘工作台和晶片之间混入了异物，并报知错误。因此，不会在有异物混入卡盘工作台和晶片之间的状态下对晶片的外周倒角部进行去除加工。由此，能够避免在后面的工序中从卡盘工作台和晶片之间的异物的存在部位产生裂纹等这样的不良状况。

发明效果

根据本发明，只在卡盘工作台和晶片之间没有混入异物的情况下对晶片的外周倒角部进行去除加工，由此，能够避免在后面的工序中由于在卡盘工作台和晶片之间存在异物而引起的裂纹等不良状况。

附图说明

图1是本实施方式涉及的加工装置的俯视示意图。

图2A和图2B是本实施方式涉及的晶片的外周倒角部的去除工序的说明图。

图3是表示本实施方式涉及的测量构件的示意图和测量值的图表。

图4是本实施方式涉及的晶片的加工方法的流程图。

标号说明

1：加工装置；

5：卡盘工作台；

6：测量构件；

8：切削构件；

51：控制构件；

52：判定构件；

53：报知构件；

91：外周倒角部；

W：晶片。

具体实施方式

下面，参照附图对本实施方式进行说明。图1是本实施方式涉及的加工装置的俯视示意图。图2A和图2B是本实施方式涉及的晶片的外周倒角部的去除工序的说明图。另外，本实施方式涉及的加工装置不限定于图1所示的结构，能够进行适当变更。