[发明专利]串联升压太阳能电池单元及其制备方法

摘要

本发明属于太阳能技术领域，为实现抑制SEE产生的电荷在芯片中的扩散，本发明采用的技术方案是，串联升压太阳能电池单元制备方法，包括如下步骤：1)在轻掺杂的P^-型硅衬底上制备浅沟槽隔离区；2)在浅沟槽隔离区间的器件有源区内制备一个中等掺杂的N阱；3)利用离子注入工艺在N型基底中制备一个大面积、重掺杂的P⁺有源区；4)利用离子注入工艺在所述P⁺有源区外侧的N型基底上制备重掺杂的N⁺接触区；5)在晶片表面淀积合适厚度的介质层；6)在器件上表面制备出所述两种太阳能电池的阳极电极和阴极电极；7)制作串联升压电池单元的阳极和阴极。本发明主要应用于太阳能电池的设计制造。

主权项

一种串联升压太阳能电池单元制备方法，其特征是，包括如下步骤：1)在轻掺杂的P^‑型硅衬底上制备浅沟槽隔离区，其作用是实现太阳能电池间，以及太阳能电池和CMOS电子电路之间的电学隔离，避免相互影响；2)在浅沟槽隔离区间的器件有源区内制备一个中等掺杂的N阱，该区域用作P⁺/N阱型太阳能电池D₁的N型基底；3)利用离子注入工艺在N型基底中制备一个大面积、重掺杂的P⁺有源区，同时在衬底上制备一个衬底接触区，所述P⁺有源区与N型基底构成P⁺/N阱型太阳能电池D₁；4)利用离子注入工艺在所述P⁺有源区外侧的N型基底上制备重掺杂的N⁺接触区，同时在N型基底外侧的衬底上制备出重掺杂的N⁺有源区，所述N⁺有源区和P型衬底构成N⁺/P衬底型太阳能电池D₂；5)在晶片表面淀积合适厚度的介质层，所述介质层同时兼作太阳能电池的抗反射膜，增加太阳光的入射效率；6)利用光刻和金属化工艺步骤，在器件上表面制备出所述两种太阳能电池的阳极电极和阴极电极；7)利用互连工艺将P⁺/N阱型太阳能电池D₁的阴极电极和N⁺/P衬底型太阳能电池D₂的阳极电极短路连接，并将P⁺/N阱型太阳能电池D₁的阳极电极和N⁺/P衬底型太阳能电池D₂的阴极电极引出，分别作为串联升压电池单元的阳极和阴极。