[发明专利]电可擦可编程只读存储器及其位线布线方法有效
| 申请号： | 201410010129.0 | 申请日： | 2014-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN103745747B | 公开（公告）日： | 2017-09-19 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种电可擦可编程只读存储器及其位线布线方法，该电可擦可编程只读存储器的位线分为两组，每组分别于不同金属层走线，两不同金属层间用较短的走线和过孔进行连接，通过本发明，可减小位线间的耦合电容，提高存储器的速度，减小浪费。 | ||
| 搜索关键词： | 电可擦 可编程 只读存储器 及其 布线 方法 | ||
【主权项】：
一种电可擦可编程只读存储器，其特征在于：该电可擦可编程只读存储器的位线分为至少两组，每组分别于不同金属层走线，与存储器单元的电接触点不同金属层的走线通过过孔和放在存储器单元的电接触点同金属层的较短走线与存储器单元的电接触点连接；该电可擦可编程只读存储器的位线按物理次序编号的奇偶分为两组，奇数编号的位线走线放在一层金属层，偶数编号的位线走线放在另一层金属层；相邻位线间耦合电容间隔位线间电容为其中，c为位线的走线均在同一层金属的间耦合电容，m为相邻位线耦合电容大小为位线的走线均在同一层金属的耦合电容的倍数，s为走线间隔距离，w为走线宽度；其中d为存在相邻位线的耦合长度，记存储器相邻单元垂直间隔距离为l。
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