[发明专利]电可擦可编程只读存储器及其位线布线方法有效
| 申请号： | 201410010129.0 | 申请日： | 2014-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN103745747B | 公开（公告）日： | 2017-09-19 |
| 发明（设计）人： | 杨光军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电可擦 可编程 只读存储器 及其 布线 方法 | ||
1.一种电可擦可编程只读存储器，其特征在于：该电可擦可编程只读存储器的位线分为至少两组，每组分别于不同金属层走线，与存储器单元的电接触点不同金属层的走线通过过孔和放在存储器单元的电接触点同金属层的较短走线与存储器单元的电接触点连接；该电可擦可编程只读存储器的位线按物理次序编号的奇偶分为两组，奇数编号的位线走线放在一层金属层，偶数编号的位线走线放在另一层金属层；相邻位线间耦合电容间隔位线间电容为其中，c为位线的走线均在同一层金属的间耦合电容，m为相邻位线耦合电容大小为位线的走线均在同一层金属的耦合电容的倍数，s为走线间隔距离，w为走线宽度；其中d为存在相邻位线的耦合长度，记存储器相邻单元垂直间隔距离为l。
2.如权利要求1所述的电可擦可编程只读存储器，其特征在于：该奇数编号的位线为漏极，该偶数编号的位线为源极。
3.如权利要求1所述的电可擦可编程只读存储器，其特征在于：该奇数编号的位线为源极，该偶数编号的位线为漏极。
4.一种电可擦可编程只读存储器的位线布线方法，包括如下步骤：
将电可擦可编程只读存储器的位线分为至少两组，每组分别在不同的金属层走线；
与存储器单元的电接触点不同金属层的走线通过过孔和放在存储器单元的电接触点同金属层的较短走线与存储器单元的电接触点连接；
将该电可擦可编程只读存储器的位线按物理次序编号的奇偶分为两组，奇数编号的位线走线放在一层金属层，偶数编号的位线走线放在另一层金属层；
相邻位线间耦合电容间隔位线间电容为其中，c为位线的走线均在同一层金属的间耦合电容，m为相邻位线耦合电容大小为位线的走线均在同一层金属的耦合电容的倍数，s为走线间隔距离，w为走线宽度；其中d为存在相邻位线的耦合长度，记存储器相邻单元垂直间隔距离为l。
5.如权利要求4所述的电可擦可编程只读存储器的位线布线方法，其特征在于：该奇数编号的位线为漏极，该偶数编号的位线为源极。
6.如权利要求4所述的电可擦可编程只读存储器的位线布线方法，其特征在于：该奇数编号的位线为源极，该偶数编号的位线为漏极。
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