[发明专利]一种二硼化锆涂层的制备方法有效

专利信息
申请号: 201410005289.6 申请日: 2014-01-07
公开(公告)号: CN103757603A 公开(公告)日: 2014-04-30
发明(设计)人: 张幸红;王鹏;韩文波;洪长青;胡平;张兆停 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C23C16/38 分类号: C23C16/38;C23C16/52
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 牟永林
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一种二硼化锆涂层的制备方法,它涉及一种陶瓷涂层的制备方法。本发明是要解决现有化学气相沉积法制备ZrB2过程中,采用先将ZrCl4加热到升华温度以上,然后再经过流量计通入反应室的方法需要对气路进行保温处理,而且对气体流量计要求很高的问题。制备方法:使用双温区加热方式,以ZrCl4、BCl3和H2作为源气体、Ar气或N2作为载气和保护性气体,采用化学气相沉积法制备二硼化锆涂层。采用本发明的方法不需要对气路进行专门保温处理,ZrCl4流量的控制可以通过控制温度的方法来实现。本发明可用于制备二硼化锆涂层。
搜索关键词: 一种 二硼化锆 涂层 制备 方法
【主权项】:
一种二硼化锆涂层的制备方法,其特征在于二硼化锆涂层的制备方法按以下步骤进行:一、将ZrCl4置于反应室的一个温区,基板材料置于反应室的另一个温区,先利用真空系统对反应室抽真空,然后通入Ar气或N2,以排除反应室内的空气;二、利用加热系统2将放置基板材料的温区以1℃/min~20℃/min的速率升温,升温过程中通入Ar气或N2保护,待温度升高至500℃~1600℃后,通入反应气体BCl3、H2,同时利用加热系统1将放置ZrCl4的温区的温度加热至300℃~1000℃,然后在500℃~1600℃温度下BCl3、H2和ZrCl4气体在基板材料上沉积10min以上,即在基板材料上制得厚度为1nm以上的二硼化锆涂层;所述的单位时间内通入反应室的BCl3与ZrCl4的摩尔比为(0.05~20):1;所述的通入反应室的H原子与BCl3和ZrCl4中Cl原子的摩尔比为(0.1~100):1;所述的沉积过程中通入反应室的Ar或N2的摩尔数是BCl3、H2和ZrCl4气体总摩尔数的1~200倍。
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