[发明专利]一种二硼化锆涂层的制备方法有效
申请号: | 201410005289.6 | 申请日: | 2014-01-07 |
公开(公告)号: | CN103757603A | 公开(公告)日: | 2014-04-30 |
发明(设计)人: | 张幸红;王鹏;韩文波;洪长青;胡平;张兆停 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | C23C16/38 | 分类号: | C23C16/38;C23C16/52 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 牟永林 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 一种二硼化锆涂层的制备方法,它涉及一种陶瓷涂层的制备方法。本发明是要解决现有化学气相沉积法制备ZrB2过程中,采用先将ZrCl4加热到升华温度以上,然后再经过流量计通入反应室的方法需要对气路进行保温处理,而且对气体流量计要求很高的问题。制备方法:使用双温区加热方式,以ZrCl4、BCl3和H2作为源气体、Ar气或N2作为载气和保护性气体,采用化学气相沉积法制备二硼化锆涂层。采用本发明的方法不需要对气路进行专门保温处理,ZrCl4流量的控制可以通过控制温度的方法来实现。本发明可用于制备二硼化锆涂层。 | ||
搜索关键词: | 一种 二硼化锆 涂层 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种二硼化锆涂层的制备方法,其特征在于二硼化锆涂层的制备方法按以下步骤进行:一、将ZrCl4置于反应室的一个温区,基板材料置于反应室的另一个温区,先利用真空系统对反应室抽真空,然后通入Ar气或N2,以排除反应室内的空气;二、利用加热系统2将放置基板材料的温区以1℃/min~20℃/min的速率升温,升温过程中通入Ar气或N2保护,待温度升高至500℃~1600℃后,通入反应气体BCl3、H2,同时利用加热系统1将放置ZrCl4的温区的温度加热至300℃~1000℃,然后在500℃~1600℃温度下BCl3、H2和ZrCl4气体在基板材料上沉积10min以上,即在基板材料上制得厚度为1nm以上的二硼化锆涂层;所述的单位时间内通入反应室的BCl3与ZrCl4的摩尔比为(0.05~20):1;所述的通入反应室的H原子与BCl3和ZrCl4中Cl原子的摩尔比为(0.1~100):1;所述的沉积过程中通入反应室的Ar或N2的摩尔数是BCl3、H2和ZrCl4气体总摩尔数的1~200倍。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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