[发明专利]具有改善粘附性能和填充性能的钨层沉积方法在审
| 申请号： | 201410003202.1 | 申请日： | 2014-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN104766792A | 公开（公告）日： | 2015-07-08 |
| 发明（设计）人： | 徐强;赵超;罗军;王桂磊;杨涛;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沉积钨(W)层的方法。该方法可以包括：对衬底进行预处理，以在衬底的表面上沉积SiH4源W膜；以及在经预处理的表面上沉积B2H6源W层。通过该方法，一方面可以实现优异的填充性能；另一方面，可以改善粘附性能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改善 粘附 性能 填充 沉积 方法 | ||
【主权项】：
一种沉积钨(W)层的方法，包括：对衬底进行预处理，以在衬底的表面上沉积SiH4源W膜；以及在经预处理的表面上沉积B2H6源W层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
