[发明专利]用于半导体器件的双应变包覆层有效
| 申请号： | 201380080950.3 | 申请日： | 2013-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN105723514B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | S·M·塞亚;R·科特利尔;H·W·肯内尔;K·J·库恩;T·加尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了与用于半导体器件的双应变包覆层有关的技术和方法，以及并入了这样的半导体器件的系统。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体器件 应变 覆层 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n衬底；/n至少一个p型半导体主体和至少一个n型半导体主体，所述至少一个p型半导体主体和所述至少一个n型半导体主体两者设置在所述衬底之上，并且所述至少一个p型半导体主体和所述至少一个n型半导体主体两者具有包括SiGe的半导体材料，所述单个半导体主体具有设置在源极区与漏极区之间的沟道区；/n弛豫层，所述弛豫层设置在所述衬底之上，并且具有形成所述p型半导体主体和所述n型半导体主体两者的弛豫硅锗(SiGe)的直立延伸；/n应变包覆层，所述应变包覆层设置在至少一个p型半导体主体和至少一个n型半导体主体的所述沟道区上，并且所述应变包覆层具有根据所述半导体主体是p型还是n型而不同的材料，其中，所述应变包覆层设置在所述至少一个p型半导体主体和所述至少一个n型半导体主体的上部上，而不设置在所述至少一个p型半导体主体和所述至少一个n型半导体主体的下部上，其中，所述至少一个p型半导体主体和所述至少一个n型半导体主体的所述上部中的缺陷浓度比所述至少一个p型半导体主体和所述至少一个n型半导体主体的所述下部中的低；/n栅极电介质层，所述栅极电介质层设置在所述包覆层之上；/n栅极电极，所述栅极电极设置在所述栅极电介质层之上；以及/n源极材料或漏极材料，所述源极材料或所述漏极材料分别设置在所述源极区和所述漏极区中的每个区域中。/n
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