[发明专利]用于半导体器件的双应变包覆层

说明书

本发明描述了与用于半导体器件的双应变包覆层有关的技术和方法，以及并入了这样的半导体器件的系统。

背景技术

典型的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)可以包括半导体(例如，硅)、用于与源极区和漏极区接触的电极、以及用于与栅极接触或耦合的电极。FinFET是围绕从盘形衬底向上延伸的半导体材料的细带(通常被称为鳍状物)构建的MOSFET。鳍状物的一个端部是源极区，而鳍状物的相对端部是漏极区。鳍状物的中间区域形成由栅极电介质和栅极电极覆盖的沟道区。器件的导电沟道存在于鳍状物的在栅极电介质下面的外侧上。具体而言，电流沿着鳍状物的两个侧壁(垂直于衬底表面的侧)并且在这两个侧壁内流动，并且沿着鳍状物的顶部(平行于衬底表面的侧)流动。因为这样的构造的导电沟道实质上沿着鳍状物的三个不同外部平面区而存在，所以这种FinFET有时被称为三栅极FinFET。其它类型的FinFET构造也是可用的，例如所谓的双栅极FinFET，其中，导电沟道主要地仅沿着鳍状物的两个侧壁(并且不沿着鳍状物的顶部)而存在。互补型金属氧化物半导体(CMOS)具有双鳍状物，一个鳍状物用于p型晶体管，并且另一个鳍状物用于n型晶体管。例如，双鳍状物被集成电路上的绝缘氧化物层分隔开。仍然可以改进这样的基于鳍状物的晶体管上的载流子迁移率。

附图说明

在附图中通过示例的方式并且不是通过限制的方式图示了本文所描述的材料。为了图示的简洁和清楚，图中所图示的元素不必按比例绘制。例如，为了清楚，可以相对于其它元素而放大一些元素的尺寸。此外，在认为适当的地方，在各图之中重复参考标记以指示对应或者类似的元素。在附图中：

图1是双互补型金属氧化物半导体器件的上透视视图；

图2-8是在执行特定制作操作时的示例性晶体管的截面视图；

图9是图示用于在半导体器件的鳍状物上形成包覆层的过程的流程图；

图10-12是在执行特定制作操作时的其它示例性晶体管的截面视图；

图13-14是示出由本文中所描述的半导体器件提供的垂直应力和电流流动方向应力的图形；

图15是采用具有晶体管的集成电路的移动计算平台的示意图，所述晶体管在晶体管的鳍状物上具有包覆层；以及

图16是全部根据本公开内容的至少一些实施方式布置的计算设备的功能框图。

具体实施方式

现在参考附图描述一个或多个实施方式。尽管讨论了具体的构造和布置，但是应当理解这么做仅是出于说明性目的。相关领域技术人员将认识到，可以在不脱离本说明书的精神和范围的情况下采用其它构造和布置。对相关领域的技术人员而言将显而易见的是，也可以在除了本文中所描述的之外的各种其它系统和应用中采用本文中所描述的技术和/或布置。

在以下具体实施方式中参考附图，所述附图形成具体实施方式的部分，其中，相同的附图标记可以始终指代相同的部分，以指示相对应或者类似的元素。将认识到，为了图示的简洁和/或清楚，图中所图示的元素不必按比例绘制。例如，为了清楚，可以相对于其它元素而放大一些元素的尺寸。此外，要理解的是，可以在不脱离所要求保护的主题的范围的情况下利用其它实施方式并且对这些实施方式做出结构和/或逻辑的改变。还应当注意的是，方向和引用(例如上、下、顶、底等)可以被用于便于对附图的讨论，并且不旨在限制对所要求保护的主题的应用。因此，不要以限制性的意义来理解以下具体实施方式，并且由所附权利要求及其等价物来限定所要求保护的主题的范围。