[发明专利]溅射靶及其制造方法在审
| 申请号： | 201380078980.0 | 申请日： | 2013-10-07 |
| 公开（公告）号： | CN105473758A | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | 五十岚和则;渡边宗明;吉田勇气;石山宏一;森晓 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22F1/00;B22F3/10;C22C9/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 朴圣洁;王珍仙 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够进一步降低氧含量，并且能够抑制异常放电的Cu-Ga烧结体的溅射靶及其制造方法。本发明的溅射靶具有含有20at％以上且小于30at％的Ga且剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成的成分组成，并且由通过X射线衍射观察到CuGa的归属于γ相的衍射峰和归属于ζ相的衍射峰的烧结体构成，归属于所述ζ相的衍射峰的主峰强度为归属于所述γ相的衍射峰的主峰强度的10％以上，氧含量为100ppm以下，平均粒径为100μm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种溅射靶，其特征在于，具有含有20at％以上且小于30at％的Ga，且剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成的成分组成，由通过X射线衍射观察到CuGa的归属于γ相的衍射峰和归属于ζ相的衍射峰的烧结体构成，归属于所述ζ相的衍射峰的主峰强度为归属于所述γ相的衍射峰的主峰强度的10％以上，氧含量为100ppm以下，平均粒径为100μm以下。
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