[发明专利]抗蚀剂底层组合物、图案形成方法及含有图案的半导体集成电路装置有效
| 申请号： | 201380075787.1 | 申请日： | 2013-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN105229532B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 金民兼;权孝英;李俊昊;田桓承 | 申请（专利权）人： | 第一毛织株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/004 | 分类号： | G03F7/004;G03F7/11;H01L21/027;G03F7/26 |
| 代理公司： | 11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李艳;臧建明 |
| 地址： | 韩国庆尚北*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种抗蚀剂底层组合物、图案形成方法及含有图案的半导体集成电路装置，抗蚀剂底层组合物包括化合物与溶剂，所述化合物包含由下列化学式1表示的部分。[化学式1] | ||
| 搜索关键词： | 用于 抗蚀剂 底层 组合 使用 图案 形成 方法 包括 半导体 集成电路 装置 | ||
【主权项】：
1.一种抗蚀剂底层组合物，包括化合物与溶剂，所述化合物包含由下列化学式1表示的部分：/n[化学式1]/n
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