[发明专利]静电电容型压力传感器及输入装置在审
| 申请号： | 201380074229.3 | 申请日： | 2013-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN105008880A | 公开（公告）日： | 2015-10-28 |
| 发明（设计）人： | 井上胜之;奥野敏明;古村由幸 | 申请（专利权）人： | 欧姆龙株式会社 |
| 主分类号： | G01L1/14 | 分类号： | G01L1/14;G01L5/00;G06F3/044;H01L29/84 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 金相允;向勇 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在固定电极(32)的上表面形成电介质层(33)。通过使电介质层(33)的上表面向下方凹陷，从而在电介质层(33)的上表面形成凹槽(33a)。在电介质层(33)的上表面层叠上基板(35a)以覆盖凹槽(33a)。通过上基板(35a)的一部分，即位于凹槽(33a)的上方的区域，来形成呈薄膜状的导电性膜片(35)。在电介质层(33)的与膜片(35)对置的区域，使电介质层在以该对置区域的中央为中心的圆周上的存在比率根据与所述对置区域的中央相隔的距离而变化。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 电容 压力传感器 输入 装置 | ||
【主权项】：
一种静电电容型压力传感器，其特征在于，具备：固定电极，电介质层，其形成于所述固定电极的上方，以及导电性的膜片，其隔着空隙形成于所述电介质层的上方；在所述电介质层的与所述膜片对置的对置区域，电介质层在以所述对置区域的中央为中心的圆周上的存在比率会根据与所述对置区域的中央相隔的距离而变化。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧姆龙株式会社，未经欧姆龙株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201380074229.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
