[发明专利]高稳定性电子自旋存储器有效
| 申请号： | 201380074016.0 | 申请日： | 2013-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN105308683B | 公开（公告）日： | 2018-03-13 |
| 发明（设计）人： | C·郭;K·奥乌兹;B·多伊尔;E·I·卡尔波夫;R·M·莫亚拉德;D·肯克;R·周 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08;H01L43/10;H01F10/32;G11C11/16 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 林金朝,王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施例包括磁隧道结(MTJ)，其包括自由磁层、固定磁层、以及所述自由磁层与所述固定磁层之间的隧道势垒；所述隧道势垒直接接触所述自由磁层的第一侧；以及氧化物层，其直接接触所述自由磁层的第二侧；其中，所述隧道势垒包括氧化物并且具有第一电阻‑面积(RA)乘积，并且所述氧化物层具有低于所述第一RA乘积的第二RA乘积。所述MTJ可以包括在垂直自旋转移矩存储器中。所述隧道势垒和所述氧化物层形成了具有高稳定性的存储器，其RA乘积大体上不高于具有仅单个氧化物层的MTJ的较不稳定的存储器。本文中描述了其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 稳定性 电子 自旋 存储器 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：磁隧道结MTJ，其包括自由磁层、固定磁层、以及位于所述自由磁层与所述固定磁层之间的隧道势垒；所述隧道势垒直接接触所述自由磁层的第一侧；氧化物层，其直接接触所述自由磁层的第二侧；以及第一材料和第二材料的交替层，其中，所述交替层的其中之一在所述自由磁层与所述氧化物层接触的位置的对面直接接触所述氧化物层；其中，所述隧道势垒包括氧化物并且具有第一电阻‑面积RA乘积，并且所述氧化物层具有低于所述第一RA乘积的第二RA乘积；所述第一侧在所述第二侧的正对面；并且所述隧道势垒包括第一金属，并且所述氧化物层包括不同于所述第一金属的第二金属。
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