[发明专利]自适应电荷平衡的MOSFET技术有效
| 申请号： | 201380073977.X | 申请日： | 2013-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN105027290B | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 纳维恩·蒂皮勒内尼;迪瓦·N·巴达纳亚克 | 申请（专利权）人： | 维西埃-硅化物公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 自适应电荷平衡的MOSFET器件包括场板堆叠、栅极结构、源极区、漏极区和体区。栅极结构包括被栅极绝缘体区包围的栅极区。场板堆叠包括多个场板绝缘体区、多个场板区和场环区。多个场板通过相应的场板绝缘体被彼此分开。体区被设置在栅极结构、源极区、漏极区和场环区之间。每两个或更多个场板被耦接到场环。 | ||
| 搜索关键词： | 场板 栅极结构 场环 电荷平衡 漏极区 源极区 自适应 堆叠 体区 绝缘体 栅极绝缘体 彼此分开 绝缘体区 区包围 栅极区 | ||
【主权项】：
1.一种用于自适应电荷补偿的装置，包括：场板堆叠，包括：多个场板绝缘体区；多个场板区，其中，所述多个场板区被穿插在多个场板绝缘体区之间；以及场环区，其中两个或多个场板区被耦接到所述场环区，以及选择所述多个场板绝缘体区中至少一个的厚度和所述多个场板区中至少一个与所述场环区之间的接触面积，以便当漏极电压比夹断电压大时所述多个场板区中的至少两个浮置到不同的电位；栅极结构，包括被栅极绝缘体区包围的栅极区；源极区；漂移区；体区，设置在所述栅极结构、所述源极区、所述漂移区和所述场环区之间。
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