[发明专利]基于纳米线的机械开关器件有效
申请号: | 201380072798.4 | 申请日: | 2013-03-14 |
公开(公告)号: | CN105009293B | 公开(公告)日: | 2018-10-23 |
发明(设计)人: | C·帕瓦申;R·金;S·金;K·库恩;S·马尼帕特鲁尼;R·里奥斯;I·A·扬;K·林;A·乔杜里 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L29/00 | 分类号: | H01L29/00;B81B7/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 王英;陈松涛 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 描述了基于纳米线的机械开关器件。例如,纳米线继电器包括设置在空隙中的纳米线,空隙被设置在衬底上方。纳米线具有锚定部分和悬浮部分。第一栅极电极被设置为邻近空隙并与纳米线间隔开。第一导电区被设置为邻近第一栅极电极并邻近空隙,并且与纳米线间隔开。 | ||
搜索关键词: | 基于 纳米 机械 开关 器件 | ||
【主权项】:
1.一种纳米线继电器,包括:设置于空隙中的纳米线,所述空隙被设置在衬底上方,所述纳米线具有锚定部分和悬浮部分,其中,所述纳米线包括半导体材料和设置在所述半导体材料上的绝缘体材料;第一栅极电极,所述第一栅极电极被设置为邻近所述空隙并与所述纳米线间隔开,其中,所述纳米线的所述绝缘体材料用于防止在所述栅极电极与所述纳米线的所述半导体材料之间发生短路;以及第一导电区,所述第一导电区被设置为邻近所述第一栅极电极并邻近所述空隙,并且与所述纳米线间隔开。
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