[发明专利]外延晶元，以及使用其的开关元件和发光元件在审
| 申请号： | 201380070392.2 | 申请日： | 2013-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN104919571A | 公开（公告）日： | 2015-09-16 |
| 发明（设计）人： | 姜石民;金知慧;黃玟泳 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 周燕;夏凯 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种外延晶元，包括设置在衬底上的外延层。外延层包括第一至第三半导体层。第三半导体层具有比第一半导体层的厚度厚的厚度。第二半导体层的第二掺杂浓度在第一半导体层的第一掺杂浓度与第三半导体层的第三掺杂浓度之间。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 以及 使用 开关 元件 发光 | ||
【主权项】：
一种外延晶元，包括：衬底；以及在所述衬底上的外延层，其中所述外延层包括：第一半导体层，所述第一半导体层设置在所述衬底上并且具有第一掺杂浓度；第二半导体层，所述第二半导体层设置在所述第一半导体层上并且具有第二掺杂浓度；以及第三半导体层，所述第三半导体层设置在所述第二半导体层上，具有比所述第一半导体层的厚度厚的厚度，并且具有第三掺杂浓度，并且其中所述第二掺杂浓度在所述第一掺杂浓度与所述第三掺杂浓度之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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