[发明专利]二极管、电力变换装置在审
| 申请号： | 201380069447.8 | 申请日： | 2013-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN104904020A | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 石丸哲也;森睦宏 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立功率半导体 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/265;H01L21/322;H01L27/04;H01L29/78;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 张敬强;严星铁 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的是提供能够以简便的方法制造、且恢复动作良好的二极管。本发明的二极管具备杂质的浓度较高的层和杂质的浓度较低的层，杂质的浓度较低的层还包括活性化率与其它的部分不同的层(参照图1)。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 电力 变换 装置 | ||
【主权项】：
一种二极管，其特征在于，具备：第一导电型的第一半导体层；上述第一导电型的第二半导体层，其与上述第一半导体层邻接设置，与上述第一半导体层相比，第一导电型的杂质的浓度较高；第二导电型的第三半导体层，其与上述第一半导体层邻接，设置在与设有上述第二半导体层的一侧相反的一侧；第二导电型的第四半导体层，其与上述第三半导体层邻接，设置在上述第一半导体层与上述第三半导体层之间；第一电极，其与上述第三半导体层欧姆连接；以及第二电极，其与上述第二半导体层欧姆连接，上述第四半导体层构成为，与上述第三半导体层相比，第二导电型的杂质的浓度较低，在上述第四半导体层中，形成有载流子浓度与上述第二导电型的杂质的浓度的比与其它的部分不同的层，上述第二导电型的杂质的浓度是利用二次离子质量分析法而求出的，上述载流子浓度是基于扩展电阻的测定而求出的。
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