[发明专利]使用N型掺杂硅纳米粒子制造太阳能电池的发射极区域

摘要

本发明描述了使用N型掺杂硅纳米粒子制造太阳能电池的发射极区域的方法和所得的太阳能电池。在一个例子中，制造太阳能电池的发射极区域的方法包括在所述太阳能电池的基板的第一表面上形成多个N型掺杂硅纳米粒子区域。在所述多个N型掺杂硅纳米粒子区域上以及在所述基板的所述第一表面上的所述N型掺杂硅纳米粒子区域之间形成含P型掺杂剂层。所述含P型掺杂剂层的至少一部分与所述多个N型掺杂硅纳米粒子区域中的每个的至少一部分混合。

主权项

一种制造太阳能电池的发射极区域的方法，所述方法包括：在所述太阳能电池的基板的第一表面上形成多个N型掺杂硅纳米粒子区域；在所述多个N型掺杂硅纳米粒子区域上以及在所述基板的所述第一表面上的所述N型掺杂硅纳米粒子区域之间形成含P型掺杂剂层；将所述含P型掺杂剂层的至少一部分与所述多个N型掺杂硅纳米粒子区域中的每个的至少一部分混合；以及在将所述含P型掺杂剂层与所述N型掺杂硅纳米粒子区域混合后，从混合有所述含P型掺杂剂层的掺杂硅纳米粒子区域扩散N型掺杂剂并在所述基板中形成对应的N型扩散区域，以及从所述含P型掺杂剂层扩散P型掺杂剂并在所述基板中的所述N型扩散区域之间形成对应的P型扩散区域。