[发明专利]石墨烯和金属互连有效
申请号: | 201380065932.8 | 申请日: | 2013-12-09 |
公开(公告)号: | CN104885210B | 公开(公告)日: | 2018-07-27 |
发明(设计)人: | 鲍军静;G·伯尼拉;R·G·菲利皮;N·E·拉斯汀;A·H·希门;S·S·乔伊 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/3205;H01L21/28 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;吕世磊 |
地址: | 美国纽*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 石墨烯和金属互连结构及其制造方法。使用石墨烯催化剂来生长多层石墨烯结构。所述石墨烯形成两个或多个通孔(16、36)或元件20或通孔和元件的组合之间的电连接30。通孔包括填充金属,其中填充金属36的至少一部分被势垒金属38包裹。所述元件可以是绕线轨迹、时钟信号源、电源、电磁信号源、接地端子、晶体管、微单元及其组合。使用石墨烯催化剂来从液体和固体碳源,通过在300℃到400℃之间的化学气相淀来生长石墨烯。所述石墨烯催化剂可以是包括镍、钯、钌、铱或铜的元素形式或合金。 | ||
搜索关键词: | 石墨 金属 互连 | ||
【主权项】:
1.一种互连结构,包括:石墨烯(30)连接器;衬垫层(28),其衬在包括所述石墨烯(30)连接器的沟槽(26)内;上通孔(36),所述上通孔的下端与石墨烯(30)连接器的第一端相连,其中所述上通孔(36)穿透所述石墨烯(30)连接器;以及下通孔(16),所述下通孔的顶端与石墨烯(30)连接器的第二端相连,其中所述衬垫层(28)和所述石墨烯(30)连接器的所述第二端二者的一部分水平地穿过所述下通孔(16)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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