[发明专利]碳化硅半导体器件

摘要

碳化硅膜(90)的第一和第二范围(RA，RB)具有界面(IF)。第一范围(RA)包括：具有第一导电类型的第一击穿电压保持层(81A)；以及提供在外边缘部(PT)中的界面(IF)处并具有第二导电类型的外边缘嵌入区(TB)。第二范围(RB)包括具有第一导电类型的第二击穿电压保持层(81B)。半导体元件(EL)形成在第二范围(RB)中。第一范围(RA)包括：在厚度方向上面对中心部(PC)中的半导体元件(EL)的中心区段(CC)；以及在厚度方向上面对外边缘部(PT)中的半导体元件(EL)的外边缘区段(CT)。在界面(IF)处，外边缘区段(CT)包括具有与中心区段(CC)的杂质浓度不同的杂质浓度的部分。

主权项

一种碳化硅半导体器件，所述碳化硅半导体器件具有下述平面布局，所述平面布局包括中心部和围绕所述中心部并且构成外边缘的外边缘部，所述碳化硅半导体器件包括：碳化硅膜，所述碳化硅膜具有第一主表面以及在厚度方向上与所述第一主表面相反的第二主表面，所述碳化硅膜具有构成所述第一主表面的第一范围以及构成所述第二主表面的第二范围，所述第一范围和所述第二范围在所述第一范围和所述第二范围之间具有与所述第一主表面和所述第二主表面分离的界面IF，所述第一范围包括第一击穿电压保持层以及外边缘嵌入区，所述第一击穿电压保持层构成所述第一主表面并且具有第一导电类型，所述外边缘嵌入区部分地设置在所述外边缘部中的所述界面处并且具有第二导电类型，所述第二范围包括构成所述界面并且具有所述第一导电类型的第二击穿电压保持层，所述第一击穿电压保持层和所述第二击穿电压保持层构成嵌入有所述外边缘嵌入区的击穿电压保持区，所述第二范围设置有半导体元件，所述半导体元件用于控制从所述第二主表面和所述界面中的一个流至另一个的电流，所述第一范围具有中心区段和外边缘区段，所述中心区段在厚度方向上面对所述中心部中的所述半导体元件，所述外边缘区段在厚度方向上面对所述外边缘部中的所述半导体元件，在所述界面处，所述外边缘区段通过具有所述外边缘嵌入区的至少一部分而包括具有与所述中心区段的杂质浓度不同的杂质浓度的部分，所述杂质提供所述第二导电类型；第一电极，所述第一电极面对所述中心部和所述外边缘部中的每一个中的所述第一主表面；以及第二电极，所述第二电极与所述中心部和所述外边缘部中的每一个中的所述第二主表面接触。