[发明专利]LED装置及其制造方法有效
申请号: | 201380064344.2 | 申请日: | 2013-11-25 |
公开(公告)号: | CN104854716A | 公开(公告)日: | 2015-08-19 |
发明(设计)人: | 小山田和;今津健二;望月周作 | 申请(专利权)人: | 西铁城控股株式会社;西铁城电子株式会社 |
主分类号: | H01L33/60 | 分类号: | H01L33/60;H01L33/50;H01L33/54 |
代理公司: | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人: | 金玲 |
地址: | 日本东京都西东*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种小型且发光效率良好、配光分布集中的LED装置。一种LED装置以及其制造方法,LED装置包括:反射框,其包围LED装置的外周部;LED裸片,其具有透明绝缘基板、在透明绝缘基板的下表面侧形成的半导体层、及配置于半导体层上的外部连接电极;以及荧光构件,其配置于LED裸片的至少上表面侧,且对来自LED裸片的发光进行波长转换,在反射框的内侧具有与荧光构件的侧面接触的斜面,斜面形成为反射框的内径从LED裸片的下表面侧向上表面侧扩大。 | ||
搜索关键词: | led 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种LED装置,其特征在于,包括:反射框,其包围所述LED装置的外周部;LED裸片,其具有透明绝缘基板、在该透明绝缘基板的下表面侧形成的半导体层、及配置于该半导体层上的外部连接电极;以及荧光构件,其配置于所述LED裸片的至少上表面侧,且对来自所述LED裸片的发光进行波长转换,在所述反射框的内侧具有与所述荧光构件的侧面接触的斜面,所述斜面形成为所述反射框的内径从所述LED裸片的下表面侧朝着上表面侧扩大。
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