[发明专利]LED装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201380064344.2 申请日: 2013-11-25
公开(公告)号: CN104854716A 公开(公告)日: 2015-08-19
发明(设计)人: 小山田和;今津健二;望月周作 申请(专利权)人: 西铁城控股株式会社;西铁城电子株式会社
主分类号: H01L33/60 分类号: H01L33/60;H01L33/50;H01L33/54
代理公司: 上海市华诚律师事务所 31210 代理人: 金玲
地址: 日本东京都西东*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: led 装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种LED装置,其特征在于,包括:

反射框,其包围所述LED装置的外周部;

LED裸片,其具有透明绝缘基板、在该透明绝缘基板的下表面侧形成的半导体层、及配置于该半导体层上的外部连接电极;以及

荧光构件,其配置于所述LED裸片的至少上表面侧,且对来自所述LED裸片的发光进行波长转换,

在所述反射框的内侧具有与所述荧光构件的侧面接触的斜面,

所述斜面形成为所述反射框的内径从所述LED裸片的下表面侧朝着上表面侧扩大。

2.如权利要求1所述的LED装置,其特征在于,

所述LED裸片的下表面侧的底面和所述斜面的位于所述LED裸片的下表面侧的最下部的位置大致相同,所述荧光构件被配置于所述斜面和所述LED裸片的侧面的间隙。

3.如权利要求1所述的LED装置,其特征在于,

所述LED裸片的下表面侧的底面和所述斜面的位于所述LED裸片的下表面侧的最下部的位置大致相同,与所述荧光构件不同的其他荧光构件或者透光性构件被配置于所述斜面和所述LED裸片的侧面的间隙。

4.如权利要求1~3中任一项所述的LED装置,其特征在于,

所述荧光构件为荧光体片,所述荧光体片被粘合于所述LED裸片的上表面。

5.如权利要求1~4中任一项所述的LED装置,其特征在于,

所述反射框由反射树脂构成。

6.如权利要求1~5中任一项所述的LED装置,其特征在于,

用所述反射树脂覆盖除了所述外部连接电极所占据的区域之外的、所述LED裸片的下表面侧的底面。

7.如权利要求1所述的LED装置,其特征在于,

在所述反射框的内侧具有所述斜面及平坦部,所述平坦部覆盖所述LED裸片的侧面。

8.如权利要求1~6中任一项所述的LED装置,其特征在于,

在所述反射框的内侧的所述LED裸片的上表面侧具有相对于所述LED裸片的下表面侧的底面垂直的面,

在所述反射框的内侧的所述LED裸片的下表面侧具有所述斜面。

9.一种LED装置的制造方法,所述LED装置具有包围外周部的反射框、LED裸片、以及对所述LED裸片的发光进行波长转换的荧光构件,所述LED装置的制造方法的特征在于,包括:

排列工序,使被配置于所述LED裸片的下表面侧的外部连接电极侧为下侧地,将所述LED裸片配置于第一支承片上;

覆盖工序,用所述荧光构件覆盖所述LED裸片的上表面和侧面;

槽形成工序,将第二支承片粘贴于所述荧光构件的所述LED裸片的上表面侧的上表面,用V字形的刀刃从所述荧光构件的底面侧在所述LED裸片之间形成槽;

反射树脂填充工序,将反射树脂填充于所述槽中;以及

单片化工序,切割所述反射树脂,以得到单片化的所述LED装置。

10.如权利要求9所述的LED装置的制造方法,其特征在于,

在所述槽形成工序中,首先在所述荧光构件形成剖面为长方形的槽,接着用所述V字形的刀刃从所述荧光构件的底面侧在所述剖面为长方形的槽的一部分形成斜面,从而在所述底面侧形成具有斜面的槽。

11.一种LED装置的制造方法,所述LED装置具有包围外周部的反射框、LED裸片、以及对所述LED裸片的发光进行波长转换的荧光构件,所述LED装置的制造方法的特征在于,包括:

排列工序,使被配置于所述LED裸片的下表面侧的外部连接电极侧为上侧地,将所述LED裸片配置于大张荧光体片上;

透光性构件填充工序,在所述LED裸片的间隙填充与所述荧光体片不同的其他荧光构件或透光性构件;

槽形成工序,用V字形的刀刃从与所述荧光体片不同的其他荧光构件或所述透光性构件侧向着所述荧光体片在所述LED裸片之间形成槽;

反射树脂填充工序,将反射树脂填充于所述槽中;以及

单片化工序,切割所述反射树脂,以得到单片化的所述LED装置。

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