[发明专利]测量用于运送及在大气压下存储半导体基材的运送腔室的颗粒污染的站及方法

摘要

本发明涉及一种测量用于运送及在大气压下存储半导体基材的运送载具的颗粒污染的方法，其被用在测量站中。所述测量方法包含：将所述测测量模块(5)耦合至刚性外壳(2)的步骤，限定了在所述外壳-测量接口外壳(16)和被耦合的所述刚性外壳(2)之间的第一测量空间(V1)，用以实施所述刚性外壳(2)的内壁的污染的测量，以及，将所述门(3)耦合至所述测量模块(5)的步骤，限定了在所述测量表面(22)和相对的门(3)之间的第二测量空间(V2)，用以实施所述门(3)的所述污染的测量。本发明亦涉及一种相关的测量站。

主权项

一种测量用于运送及在大气压下存储半导体基材的运送载具的颗粒污染的测量站，所述运送载具包含刚性外壳(2)，所述刚性外壳包含孔口及可去除的门(3)以允许所述孔口被关闭，所述测量站包含：受控环境腔室(4)，其包含至少一个载入端口(8)，所述载入端口能够一方面耦合至所述刚性外壳(2)且另一方面耦合至所述运送载具的所述门(3)，用以将所述门(3)移入所述受控环境腔室内(4)；及测量模块(5)，其包含颗粒测量单元(14)，其特征在于所述测量模块(5)包含：‑外壳‑测量接口(16)，其被配置为在所述门(3)的位置处耦合至被耦合至所述受控环境腔室(4)的所述刚性外壳(2)，从而限定第一测量体积(V1)，所述外壳‑测量接口(16)包含至少一个注入喷嘴(20)及连接至所述颗粒测量单元(14)的第一取样口(12)；以及‑中空的门‑测量接口(21)，其被配置为耦合至所述门(3)，从而限定在所述测量模块(5)的测量面(22)和相对的门(3)之间的第二测量体积(V2)，所述测量面(22)包含至少一个注入喷嘴(23)及连接至所述颗粒测量单元(14)的第二取样口(24)。