[发明专利]具有防击穿层的半导体器件在审
| 申请号： | 201380061263.7 | 申请日： | 2013-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104813454A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | G·西敏;M·舒尔;R·格斯卡 | 申请（专利权）人： | 传感器电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国南*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了具有防击穿层的半导体器件。防击穿层可以位于器件的高电压表面区域。防击穿层可以包括具有嵌入其中的导电元件的绝缘膜。可以沿着绝缘膜的横向长度布置导电元件。导电元件可以配置为将器件工作期间以其它方式存在于高电压表面区域的高电场尖峰分成多个小得多的尖峰。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 击穿 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种横向半导体器件，包括：器件通道；在所述器件通道的第一端上的第一接触；在所述器件通道的第二端上的第二接触，其中所述第二端与所述第一端相对，以及其中所述第一和第二接触位于所述器件通道的第一侧上；以及防击穿层，位于所述器件通道的所述第一侧上，在所述第一接触与所述第二接触之间的间距的至少一部分中，其中所述防击穿层包括：绝缘膜；以及嵌入所述绝缘膜中的多个导电元件，其中所述多个导电元件沿着所述绝缘膜的横向长度布置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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