[发明专利]用于三元内容可寻址存储器的伪NOR单元在审
| 申请号： | 201380060697.5 | 申请日： | 2013-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN104813405A | 公开（公告）日： | 2015-07-29 |
| 发明（设计）人： | R·瓦蒂孔达;N·德塞;C·郑 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C15/04 | 分类号： | G11C15/04 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 周敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 三元内容可寻址存储器(TCAM)内的方法包括：在当前TCAM级的上拉晶体管的栅极处和在当前TCAM级的下拉晶体管的栅极处接收来自先前TCAM级的匹配线输出。当来自先前TCAM级的匹配线输出指示失配时，该方法经由下拉晶体管将当前TCAM级处的匹配线逆设置为低值。当来自先前TCAM级的匹配线输出指示匹配时，该方法还经由上拉晶体管将当前TCAM级处的匹配线逆设置为高值。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 三元 内容 寻址 存储器 nor 单元 | ||
【主权项】：
一种三元内容可寻址存储器(TCAM)内的方法，所述方法包括：在当前TCAM级的上拉晶体管的栅极处接收来自先前TCAM级的第一匹配线输出；在所述当前TCAM级的下拉晶体管的栅极处接收所述第一匹配线输出；当所述第一匹配线输出指示失配时，经由所述下拉晶体管将所述当前TCAM级处的匹配线逆设置为低值；以及当所述第一匹配线输出指示匹配时，经由所述上拉晶体管将所述当前TCAM级处的匹配线逆设置为高值。
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