[发明专利]用于三元内容可寻址存储器的伪NOR单元在审
申请号: | 201380060697.5 | 申请日: | 2013-12-20 |
公开(公告)号: | CN104813405A | 公开(公告)日: | 2015-07-29 |
发明(设计)人: | R·瓦蒂孔达;N·德塞;C·郑 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | G11C15/04 | 分类号: | G11C15/04 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 周敏 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 三元 内容 寻址 存储器 nor 单元 | ||
技术领域
本公开一般涉及三元内容可寻址存储器(TCAM)。具体而言,本公开涉及TCAM的伪NOR架构。
背景
TCAM通常被用于路由器和以太网交换机中以用于网际协议(IP)地址转发。存储元件通常使用动态NOR/NAND(或非/与非)类型单元来设计。
内容可寻址存储器(CAM)支持读取操作、写入操作、以及比较操作。与CAM中条目的宽度(例如,每字比特)相同的比较总线在时钟边沿处输入。比较总线的数据与CAM中的每个条目同时进行比较。也就是说,比较是并行发生的,因此总线可在一个时钟循环期间与CAM中的每个条目进行比较。当条目中的每个比特与比较总线中的对应比特相匹配时,条目是匹配。替换地,当条目中的任何比特与比较总线中的对应比特不相匹配时,条目是失配。CAM中的条目的比特或为0,或为1。
TCAM类似于CAM,外加可存储于单元中的掩码值。该掩码值可被称为本地掩码。掩码值不与比较比特进行比较,由此比较结果将总是匹配。
图1解说常规TCAM 100的架构。如图1中所解说的,搜索字(诸如,“1101”)被输入到TCAM 100的寄存器150。该搜索字与TCAM单元110中所存储的值进行比较。TCAM通常每级具有16个TCAM单元。搜索跨TCAM单元110同时进行。TCAM单元110的内容可以是高比特(1)、低比特(0)、或掩码值(X)。在搜索之前,每组TCAM单元120-126的匹配线130-136被设置为高。匹配线130-136被输入到优先级编码器140。TCAM 100输出(ML输出)与搜索字线相匹配的那组TCAM单元的地址。由于该搜索是并行搜索,所以该搜索可在一个时钟循环中完成。应注意,掩码值可以是0或1,此外,在本公开中,掩码值可被称为X。
作为示例,如图1中所解说的,第一组TCAM单元120被设置成“1X 01”,第二组TCAM单元122被设置成“10X 1”,第三组TCAM单元124被设置成“1 1X X”,并且第四组TCAM单元126被设置成“1X 1X”。在将TCAM单元的内容与搜索比特进行比较时,在TCAM单元的内容为掩码值X的情况下,该比较将产生匹配。因此,根据图1中所解说的示例,第一组TCAM单元120和第三组TACM单元124与寄存器150中的搜索字相匹配。相应地,第一组TCAM单元120和第三组TCAM单元124的匹配线130、134将指示匹配,并且优先级编码器140输出第一组TCAM单元120和第三组TCAM单元124的地址。
常规TCAM架构是动态电路并且具有高动态功率耗散。在一些情形中,TCAM可具有动态NAND架构。在其他情形中,TCAM可具有动态NOR架构。
图2解说了常规动态NAND TCAM 200。如图2中所解说的,动态NAND架构200包括从上拉晶体管210通过预充电线PRE#充电的匹配线MLNAND。匹配线MLNAND被连接至一连串中间匹配线ML0-MLn-1。中间匹配线ML0-MLn-1中的每一条中间匹配线经由传输门被耦合至掩码单元Mask0-Maskn-1和键单元Key0-Keyn-1。传输门包括耦合至键单元Key0-Keyn-1的键NMOS晶体管202以及耦合至掩码单元Mask0-Maskn-1的掩码NMOS晶体管204。
掩码单元Mask0-Maskn-1的内容在展开掩码单元222中解说。如展开掩码单元222中所示,掩码单元Mask0-Maskn-1是SRAM单元,其包括掩码值M、掩码值逆(bar)M#、掩码字线WLM、掩码比特线BLM、以及掩码比特线逆BLM#。键单元Key0-Keyn-1的内容在展开键单元220中解说。如展开键单元220中所示,键单元Key0-Keyn-1是具有XNOR逻辑的SRAM单元。键单元Key0-Keyn-1还包括搜索线SL、搜索线逆SL#、键比特线BLK、键比特线逆BLK#、键值K、键逆值K#、以及键写入线WLK。
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