[发明专利]用于三元内容可寻址存储器的伪NOR单元

权利要求书

1.一种三元内容可寻址存储器(TCAM)内的方法，所述方法包括：

在当前TCAM级的上拉晶体管的栅极处接收来自先前TCAM级的第一匹配线输出；

在所述当前TCAM级的下拉晶体管的栅极处接收所述第一匹配线输出；

当所述第一匹配线输出指示失配时，经由所述下拉晶体管将所述当前TCAM级处的匹配线逆设置为低值；以及

当所述第一匹配线输出指示匹配时，经由所述上拉晶体管将所述当前TCAM级处的匹配线逆设置为高值。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：

当所述第一匹配线输出指示匹配时，将搜索值与所述当前TCAM级的单元的数据进行比较。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，进一步包括：经由所述当前TCAM级的第二匹配线输出将所述比较的结果输出给后续TCAM级。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述单元是静态随机存取存储器(SRAM)单元。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，每个TCAM级至少包括所述上拉晶体管、所述下拉晶体管、搜索线、掩码单元、所述匹配线逆、第二匹配线输出、和键单元。

6.一种三元内容可寻址存储器(TCAM)，包括：

用于在当前TCAM级处接收来自先前TCAM级的匹配线输出的上拉装置；

用于在所述当前TCAM级处接收来自所述先前TCAM级的所述匹配线输出的下拉装置；

用于当来自所述先前TCAM级的所述匹配线输出指示失配时，经由所述上拉装置将所述当前TCAM级处的匹配线逆设置为低值的装置；以及

用于当来自所述先前TCAM级的所述匹配线输出指示匹配时，经由所述下拉装置将所述当前TCAM级处的所述匹配线逆设置为高值的装置。

7.如权利要求6所述的TCAM，其特征在于，进一步包括：

用于当来自所述先前TCAM级的所述匹配线输出指示匹配时，将搜索值与单元的数据进行比较的装置。

8.如权利要求7所述的TCAM，其特征在于，进一步包括：用于将所述比较的结果输出给后续TCAM级的装置。

9.如权利要求7所述的TCAM，其特征在于，所述单元是静态随机存取存储器装置。

10.如权利要求6所述的TCAM，其特征在于，每个TCAM级至少包括所述上拉装置、所述下拉装置、搜索装置、掩码存储器装置、所述匹配线逆、匹配输出装置、和键存储器装置。

11.一种三元内容可寻址存储器(TCAM)，包括：

上拉晶体管堆叠，其配置成在当前TCAM级处接收来自先前TCAM级的第一匹配线输出，当所述第一匹配线输出指示失配时，所述上拉晶体管堆叠将所述当前TCAM堆叠处的匹配线逆设置为低值；以及

下拉晶体管，其配置成在所述当前TCAM级处接收所述第一匹配线输出，当所述第一匹配线输出指示匹配时，所述下拉晶体管将所述当前TCAM级处的所述匹配线逆设置为高值。

12.如权利要求11所述的TCAM，其特征在于，进一步包括：

键单元，其配置成当所述第一匹配线输出指示匹配时，将搜索值与所述键单元的数据进行比较；以及

掩码单元，其配置成当所述第一匹配线输出指示匹配时，将搜索逆值与所述掩码单元的数据进行比较。

13.如权利要求12所述的TCAM，其特征在于，进一步包括：第二匹配线输出，其配置成将所述当前TCAM级的所述比较的结果输出给后续TCAM级。

14.如权利要求12所述的TCAM，其特征在于，所述键单元和所述掩码单元是静态随机存取存储器(SRAM)单元。

15.如权利要求11所述的TCAM，其特征在于，每个TCAM级至少包括所述上拉晶体管堆叠、所述下拉晶体管、搜索线、掩码单元、所述匹配线逆、第二匹配线输出、和键单元。