[发明专利]用于制造绝缘体上半导体基板的方法有效
| 申请号： | 201380060390.5 | 申请日： | 2013-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN104798192B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | C·古德尔;奥列格·科农丘克 | 申请（专利权）人： | 索泰克公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 吕俊刚,刘久亮 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及制造多个绝缘体上半导体结构(200)的方法，该绝缘体是厚度小于50nm的二氧化硅层(202)，每个结构(200)包括放置在二氧化硅层(202)上的半导体层(203)，该制造方法包括对多个结构(200)进行热处理的步骤，该热处理步骤被设计为部分地分解二氧化硅层(202)，该热处理步骤是在非氧化性气氛中进行的，并且该非氧化性气氛的压强小于0.1巴。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 绝缘体 上半 导体 方法 | ||
【主权项】：
一种制造多个绝缘体上半导体结构(200)的方法，所述绝缘体是厚度小于50nm的二氧化硅层(202)，每个结构(200)包括放置在所述二氧化硅层(202)上的半导体层(203)，所述制造方法包括对所述多个绝缘体上半导体结构(200)进行热处理的步骤，该热处理步骤被设计为部分地分解所述二氧化硅层(202)，该热处理步骤是在非氧化性气氛中进行的，所述制造方法的特征在于，所述非氧化性气氛的压强小于0.1巴。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
