[发明专利]用于制造绝缘体上半导体基板的方法有效

申请号：	201380060390.5	申请日：	2013-09-25
公开（公告）号：	CN104798192B	公开（公告）日：	2017-08-25
发明（设计）人：	C·古德尔;奥列格·科农丘克	申请（专利权）人：	索泰克公司
主分类号：	H01L21/762	分类号：	H01L21/762
代理公司：	北京三友知识产权代理有限公司11127	代理人：	吕俊刚,刘久亮
地址：	法国***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	用于制造绝缘体上半导体方法
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【权利要求书】：

1.一种制造多个绝缘体上半导体结构(200)的方法，所述绝缘体是厚度小于50nm的二氧化硅层(202)，每个结构(200)包括放置在所述二氧化硅层(202)上的半导体层(203)，所述制造方法包括对所述多个绝缘体上半导体结构(200)进行热处理的步骤，该热处理步骤被设计为部分地分解所述二氧化硅层(202)，该热处理步骤是在非氧化性气氛中进行的，所述制造方法的特征在于，所述非氧化性气氛的压强小于0.1巴。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述非氧化性气氛是惰性气氛。

3.根据权利要求1和2中的任一项所述的制造方法，其中，所述非氧化性气氛包含氩和/或氮。

4.根据权利要求1和2中的任一项所述的制造方法，其中，所述非氧化性气氛被控制为使其包含小于1ppm的氧。

5.根据权利要求1和2中的任一项所述的制造方法，其中，所述非氧化性气氛的压强高于0.01巴。

6.根据权利要求1和2中的任一项所述的制造方法，其中，所述非氧化性气氛的压强高于0.05巴。

7.根据权利要求1和2中的任一项所述的制造方法，其中，所述半导体层(203)具有大于230nm的厚度。

8.根据权利要求1和2中的任一项所述的制造方法，其中，所述半导体层(203)具有大于250nm的厚度。

9.根据权利要求1和2中的任一项所述的制造方法，其中，所述半导体层(203)具有大于280nm的厚度。

10.根据权利要求1和2中的任一项所述的制造方法，其中，所述半导体层(203)是由硅做成的。

11.根据权利要求1和2中的任一项所述的制造方法，其中，该热处理步骤在900℃到1350℃之间的温度下进行。

12.根据权利要求1和2中的任一项所述的制造方法，其中，该热处理步骤在1150℃到1350℃之间的温度下进行。

13.根据权利要求1和2中的任一项所述的制造方法，其中，该热处理步骤进行达10分钟到8小时之间的时间。