[发明专利]用于光刻的辐射源和方法有效
申请号: | 201380059635.2 | 申请日: | 2013-10-23 |
公开(公告)号: | CN104798445B | 公开(公告)日: | 2018-07-20 |
发明(设计)人: | H·G·席梅尔;M·里彭;R·吉利森;D·德格拉夫 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | H05G2/00 | 分类号: | H05G2/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;吕世磊 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | 一种适用于向光刻设备提供辐射的辐射源从等离子体(12)生成辐射,等离子体从包括气体的围闭件内的燃料(31)生成。等离子体生成初级燃料碎片,初级燃料碎片被收集为碎片接收表面((33a)、(33b))上的燃料层。碎片接收表面被加热到一定温度,以将燃料层保持为液态,并且提供液态燃料层内的降低的或者零气泡形成率,以便降低由源于从液态燃料层的气泡喷发的次级碎片对光学表面(14)的污染。附加地或者备选地,辐射源可以具有被定位和/或定向以使得垂直于碎片接收表面的基本上所有的线不与辐射源的光活性表面相交的碎片接收表面。 | ||
搜索关键词: | 辐射源 接收表面 等离子体 燃料碎片 液态燃料 燃料层 等离子体生成 光刻设备 光学表面 气泡形成 辐射 光活性 备选 闭件 光刻 加热 相交 垂直 燃料 污染 | ||
【主权项】:
1.一种辐射源,所述辐射源被布置为从等离子体生成辐射,所述等离子体从包括气体的围闭件内的燃料生成,并且生成的所述等离子体导致初级碎片的发射,所述辐射源包括:具有光活性表面的部件,以及碎片接收表面,被定位和/或定向以使得在使用时所述初级碎片的发射引起具有燃料层的所述碎片接收表面的污染,其中所述碎片接收表面被布置为保持在足够高的温度,以将所述燃料层保持为液态,并且在使用时提供比在超过所述燃料的熔点20℃的温度的所述液态燃料层内的所述气体的泡的形成率低至少10%的所述液态燃料层内的所述气体的泡的所述形成率,以便减少次级碎片通过喷吐的发射。
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