[发明专利]用于光刻的辐射源和方法

说明书

一种适用于向光刻设备提供辐射的辐射源从等离子体(12)生成辐射，等离子体从包括气体的围闭件内的燃料(31)生成。等离子体生成初级燃料碎片，初级燃料碎片被收集为碎片接收表面((33a)、(33b))上的燃料层。碎片接收表面被加热到一定温度，以将燃料层保持为液态，并且提供液态燃料层内的降低的或者零气泡形成率，以便降低由源于从液态燃料层的气泡喷发的次级碎片对光学表面(14)的污染。附加地或者备选地，辐射源可以具有被定位和/或定向以使得垂直于碎片接收表面的基本上所有的线不与辐射源的光活性表面相交的碎片接收表面。

相关申请的相交引用

本申请要求2012年11月15日提交的美国临时申请61/726,843和2012年12月18日提交的美国临时申请61/738,700的权益，并且其通过整体引用并入本文。

技术领域

本发明涉及用于生成用于在用于器件制造的光刻应用中使用的辐射的方法和设备。

背景技术

光刻设备是将期望的图案应用到衬底上(通常到衬底的目标部分上)的机器。例如，可以在集成电路(IC)的制造中使用光刻设备。在这种情况下，可以使用图案形成装置(备选地称为掩模或者掩模版)来产生将在IC的单独层上形成的电路图案。该图案可以被转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或者几个裸片的一部分)上。图案的转移通常经由成像到设置在衬底上的辐射敏感材料层(抗蚀剂)上。一般而言，单个衬底将包含被连续图案化的相邻目标部分的网络。

光刻被广泛认为是IC和其他器件和/或结构的制造中的关键步骤之一。然而，随着使用光刻制作的特征的尺寸变得越来越小，光刻正在成为对于使微型IC或者其他器件和/或结构能够被制造的更加关键的因素。

图案印刷极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利准则给出，如等式(1)所示：

其中λ是所使用的辐射的波长，NA是用于印刷图案的投射系统的数值孔径，k_l是依赖于工艺的调整因子，也称为瑞利常数，并且CD是所印刷的特征的特征尺寸(或者临界尺寸)。由等式(1)得出特征的最小可印刷尺寸的降低可以以三种方式获得：通过缩短曝光波长λ、通过增加数值孔径NA或者通过降低k_l的值。

为了缩短曝光波长并且因此降低最小可印刷尺寸，已经提出了使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是具有5-20nm范围内(例如，在13-14nm的范围内)的波长的电磁辐射。已经进一步地提出可以使用具有小于10nm的波长的EUV辐射，例如在5-10nm的范围内，诸如6.7nm或者6.8nm。这样的辐射被称为极紫外辐射或者软x射线辐射。可能的源包括例如激光产生等离子体源、放电等离子体源或者基于由电子存储环提供的同步辐射的源。