[发明专利]用于光刻的辐射源和方法

权利要求书

1.一种辐射源，所述辐射源被布置为从等离子体生成辐射，所述等离子体从包括气体的围闭件内的燃料生成，并且生成的所述等离子体导致初级碎片的发射，所述辐射源包括：

具有光活性表面的部件，以及

碎片接收表面，被定位和/或定向以使得在使用时所述初级碎片的发射引起具有燃料层的所述碎片接收表面的污染，

其中所述碎片接收表面被布置为保持在足够高的温度，以将所述燃料层保持为液态，并且在使用时提供比在超过所述燃料的熔点20℃的温度的所述液态燃料层内的所述气体的泡的形成率低至少10％的所述液态燃料层内的所述气体的泡的所述形成率，以便减少次级碎片通过喷吐的发射。

2.根据权利要求1所述的辐射源，其中所述碎片接收表面包括加热器。

3.根据权利要求2所述的辐射源，其中所述加热器是电加热器或者由热传递流体加热的加热管。

4.根据任一项前述权利要求所述的辐射源，其中所述碎片接收表面被布置为在使用时被保持在超过300℃的温度。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的辐射源，其中所述辐射源被布置为接收激发束，以使得在使用时所述激发束入射在等离子体形成位置处的所述燃料上以生成所述等离子体，并且

其中所述碎片接收表面和包括光活性表面的部件被交错地定位和/或定向以使得垂直于所述碎片接收表面的基本上所有的线不与所述部件的所述光活性表面相交。

6.根据权利要求1-3中任一项所述的辐射源，其中所述部件包括作为光活性部件的辐射收集器，所述辐射收集器被布置为收集由所述等离子体形成位置处的所述等离子体发出的辐射并且由此形成辐射束。

7.根据权利要求1-3中任一项所述的辐射源，其中所述辐射源包括污染物阱，所述污染物阱被布置为降低由所述等离子体生成的碎片的传播；并且

其中所述碎片接收表面包括所述污染物阱的表面的至少一部分。

8.根据权利要求1-3中任一项所述的辐射源，其中所述辐射源包括第一碎片接收表面和第二碎片接收表面，所述第一碎片接收表面和所述第二碎片接收表面被定位和/或定向以使得在使用时所述初级碎片的发射引起具有相应的燃料层的所述碎片接收表面的污染，所述第一碎片接收表面是根据权利要求1至7中任一项所述的碎片接收表面，并且其中：

所述第二碎片接收表面被布置为保持在足够高的温度以将其相应的燃料层保持为液态，并且

所述第二碎片接收表面和包括光活性表面的部件被交错地定位和/或定向以使得垂直于所述第二碎片接收表面的基本上所有的线不与所述部件的所述光活性表面相交。

9.一种辐射源，所述辐射源被布置为从等离子体生成辐射，所述等离子体从包括气体的围闭件内的燃料生成，并且生成的所述等离子体导致初级碎片的发射，所述辐射源包括：

具有光活性表面的部件，以及

碎片接收表面，被定位和/或定向以使得在使用时所述初级碎片的发射引起具有燃料层的所述碎片接收表面的污染，

其中所述碎片接收表面被布置为保持在超过所述燃料的熔点至少100℃的温度，以便将所述燃料层保持为液态，并且降低所述液态燃料层内的所述气体的泡的形成以及减少次级碎片通过喷吐的发射。

10.根据权利要求9所述的辐射源，其中所述碎片接收表面被布置为保持在超过所述燃料的熔点至少150℃的温度。

11.根据权利要求10所述的辐射源，其中所述碎片接收表面被布置为保持在超过所述燃料的熔点至少200℃的温度。

12.根据权利要求9所述的辐射源，其中所述辐射源包括污染物阱，所述污染物阱被布置为降低由等离子体生成的碎片的传播；并且

其中所述碎片接收表面包括所述污染物阱的表面的至少一部分。