[发明专利]用于使有源层的初始应变状态改变为最终应变状态的方法有效
申请号: | 201380057203.8 | 申请日: | 2013-10-11 |
公开(公告)号: | CN104781911A | 公开(公告)日: | 2015-07-15 |
发明(设计)人: | Y-M·勒瓦扬;E·纳瓦罗 | 申请(专利权)人: | SOITEC公司 |
主分类号: | H01L21/20 | 分类号: | H01L21/20 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: |
该方法包括如下步骤:a)提供第一衬底(1),第一衬底(1)包括有源层(10),有源层(10)由具有杨氏模量E1和厚度h1的第一材料制成;b)提供第二衬底(2),第二衬底(2)由具有杨氏模量E2和厚度h2的第二材料制成;c)弯曲第一衬底(1)和第二衬底(2),以使第一衬底(1)和第二衬底(2)的每个具有曲率半径为R的弓形形状;d)将第二衬底(2)接合到有源层(10)上,以使第二衬底(2)符合第一衬底(1)的形状;e)重建第二衬底(2)的静态初始形状,所述方法值得注意之处在于,第二衬底(2)的第二材料为满足关系E2/E1<10-2的柔性材料,所述方法值得注意之处在于第二衬底(2)的厚度满足关系h2/h1≥104,并且所述方法值得注意之处在于所述曲率半径满足关系 |
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搜索关键词: | 用于 有源 初始 应变 状态 变为 最终 方法 | ||
【主权项】:
用于将被称为有源层(10)的层的初始应变状态改变成表示为ε的最终应变状态的方法,所述方法包括如下步骤:a)提供第一衬底(1),所述第一衬底(1)包括在所述初始应变状态中的所述有源层(10),所述有源层(10)由具有表示为E1的杨氏模量的第一材料制成,所述有源层(10)具有表示为h1的厚度;b)提供第二衬底(2),所述第二衬底(2)由具有表示为E2的杨氏模量的第二材料制成,所述第二衬底(2)具有表示为h2的厚度,所述第二衬底(2)具有静态的初始形状;c)弯曲所述第一衬底(1)和所述第二衬底(2),以使所述第一衬底(1)和所述第二衬底(2)的每个具有基本上相同的表示为R的曲率半径的弯曲形状;d)将所述第二衬底(2)接合到所述有源层(10)上,以使所述第二衬底(2)紧随所述第一衬底(1)的形状;以及e)重建所述第二衬底(2)的初始静态形状,以使所述有源层(10)具有最终应变状态,所述方法的特征在于所述第二衬底(2)的第二材料为满足关系E2/E1<10‑2的柔性材料,所述方法的特征在于所述第二衬底(2)的厚度满足关系h2/h1≥104,并且所述方法的特征在于所述曲率半径满足关系![]()
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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