[发明专利]用于使有源层的初始应变状态改变为最终应变状态的方法有效
申请号: | 201380057203.8 | 申请日: | 2013-10-11 |
公开(公告)号: | CN104781911A | 公开(公告)日: | 2015-07-15 |
发明(设计)人: | Y-M·勒瓦扬;E·纳瓦罗 | 申请(专利权)人: | SOITEC公司 |
主分类号: | H01L21/20 | 分类号: | H01L21/20 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 有源 初始 应变 状态 变为 最终 方法 | ||
1.用于将被称为有源层(10)的层的初始应变状态改变成表示为ε的最终应变状态的方法,所述方法包括如下步骤:a)提供第一衬底(1),所述第一衬底(1)包括在所述初始应变状态中的所述有源层(10),所述有源层(10)由具有表示为E1的杨氏模量的第一材料制成,所述有源层(10)具有表示为h1的厚度;b)提供第二衬底(2),所述第二衬底(2)由具有表示为E2的杨氏模量的第二材料制成,所述第二衬底(2)具有表示为h2的厚度,所述第二衬底(2)具有静态的初始形状;c)弯曲所述第一衬底(1)和所述第二衬底(2),以使所述第一衬底(1)和所述第二衬底(2)的每个具有基本上相同的表示为R的曲率半径的弯曲形状;d)将所述第二衬底(2)接合到所述有源层(10)上,以使所述第二衬底(2)紧随所述第一衬底(1)的形状;以及e)重建所述第二衬底(2)的初始静态形状,以使所述有源层(10)具有最终应变状态,所述方法的特征在于所述第二衬底(2)的第二材料为满足关系E2/E1<10-2的柔性材料,所述方法的特征在于所述第二衬底(2)的厚度满足关系h2/h1≥104,并且所述方法的特征在于所述曲率半径满足关系
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一衬底(1)包括形成有源层(10)的第一部分和第二部分(11),并且其特征在于,所述方法包括步骤d1),步骤d1)包括减少所述第一衬底(1)的第二部分(11)的厚度。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,执行步骤d1)以使所述第一衬底(1)保持自支撑,步骤d1)在步骤c)之前执行。
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,执行步骤d1)以基本上移除所述第一衬底(1)的第二部分(11)的全部,步骤d1)在步骤d)之后且在步骤e)之前执行。
5.根据权利要求1至4的一项所述的方法,其特征在于,所述第二衬底(2)包括两个侧端部分(20),并且其特征在于,所述方法包括步骤c1),步骤c1)包括在每个侧端部分(20)中布置至少一个加强构件(5),每个加强构件(5)优选地为针状。
6.根据权利要求1至5的一项所述的方法,其特征在于,所述方法包括步骤c2),步骤c2)包括将形成增强件(4)的层接合到所述第二衬底(2),步骤c2)在步骤c)之前执行。
7.根据与权利要求5结合的权利要求6所述的方法,其特征在于,每个加强构件(5)从形成增强件(4)的层延伸。
8.根据权利要求1至7的一项所述的方法,其特征在于,所述第二衬底(2)的第二材料满足关系E2/E1≤10-3,并且所述方法的特征在于,所述第二衬底(2)的厚度满足关系h2/h1≥105。
9.根据权利要求1至8的一项所述的方法,其特征在于,所述第二衬底(2)的第二材料满足关系E2/E1≤10-4,并且所述方法的特征在于,所述第二衬底(2)的厚度满足关系h2/h1≥106。
10.根据权利要求1至9的一项所述的方法,其特征在于,所述有源层(10)的厚度包括在5nm与50nm之间,且优选地在5nm与35nm之间,并且所述方法的特征在于,所述第二衬底(2)的厚度包括在1cm与10cm之间。
11.根据权利要求1至10的一项所述的方法,其特征在于,所述曲率半径的绝对值包括在0.5m与2m之间。
12.根据权利要求1至11的一项所述的方法,其特征在于,所述第二衬底(2)的第二材料是弹性体,优选地从包括聚二甲硅氧烷、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰胺比如PA6-3-T以及聚四氟乙烯的组中选择。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造