[发明专利]相移掩膜的制造方法

摘要

相移掩膜的制造方法具有如下工序：形成具有规定的开口图案的第二掩膜(RP2)，以使表面及露出于图案开口的遮光层(13)被覆盖，并且使露出于图案开口的蚀刻终止层(12)和相移层(11)在遮光区域内不被覆盖而在相移区域内被覆盖。

主权项

1.一种相移掩膜的制造方法，用于制造相移掩膜，所述相移掩膜包括：透明基板；相移层，形成于该透明基板的表面，以Cr为主要成分；蚀刻终止层，形成于离开所述透明基板的那一侧的所述相移层表面，以从Ni、Co、Fe、Ti、Si、Al、Nb、Mo、W及Hf中选择出的至少一种金属为主要成分；以及遮光层，形成于离开所述相移层的那一侧的所述蚀刻终止层上，以Cr为主要成分，所述相移掩膜具有：相移区域，在所述遮光层上形成的遮光图案的开口宽度被设定为比在所述相移层上形成的相移图案的开口宽度宽；和遮光区域，在所述相移层上形成的所述相移图案的所述开口宽度与在所述遮光层上形成的所述遮光图案的所述开口宽度被设定为相等，所述相移掩膜的制造方法的特征在于，具有：在所述透明基板上形成所述相移层、所述蚀刻终止层以及所述遮光层的工序；在所述遮光层上形成具有规定的开口图案的第一掩膜的工序；隔着该形成的第一掩膜依次对所述遮光层和所述蚀刻终止层进行蚀刻以形成遮光图案和蚀刻终止图案的工序；隔着所述第一掩膜对所述相移层进行蚀刻以形成相移图案的工序；形成具有规定的开口图案的第二掩膜，以使所述遮光图案表面及露出于图案开口的遮光图案被覆盖，并且使露出于所述图案开口的所述蚀刻终止图案和所述相移图案在所述遮光区域内不被覆盖而在所述相移区域内被覆盖的工序；隔着该形成的第二掩膜依次对所述遮光图案和所述蚀刻终止图案进行蚀刻的工序；以及去除所述第二掩膜后，进一步对所述蚀刻终止图案进行蚀刻的工序。