[发明专利]半导体发光元件有效
| 申请号： | 201380052323.9 | 申请日： | 2013-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN104737393B | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 高山彻 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 韩聪 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体发光元件包括由GaN形成的衬底(11)；设置在衬底(11)上方的第一包覆层(12)；设置在第一包覆层(12)上方的量子阱有源层(13)；设置在量子阱有源层(13)上方的第二包覆层(14)；以及设置在衬底(11)与第一包覆层(12)之间的第一折射率修正层(15)。第一折射率修正层包括In1‑x‑yAlyGaxN(x+y＜1)层，x和y满足关系式x/1.05+y/0.69＞1、x/1.13+y/0.49＞1或x/1.54+y/0.24＞1，并且满足x/0.91+y/0.75≥1和x/1.08+y/0.91≤1。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种半导体发光元件，其特征在于：包括：由GaN形成的衬底，设置在上述衬底上方的由In1‑n1‑n2Aln2Gan1N形成的第一导电型的第一包覆层，其中，0＜n1＜1，0≤n2＜1，n1+n2≤1，设置在上述第一包覆层上方的量子阱有源层，设置在上述量子阱有源层上方的由In1‑m1‑m2Alm2Gam1N形成的第二导电型的第二包覆层，其中，0＜m1＜1，0＜m2＜1，m1+m2≤1，以及设置在上述衬底与上述第一包覆层之间的第一导电型的第一折射率修正层，上述第一折射率修正层包括In1‑x‑yAlyGaxN层，其中，x+y＜1，上述x和上述y满足关系式x/1.05+y/0.69＞1、x/0.91+y/0.75≥1以及x/1.08+y/0.91≤1，上述量子阱有源层发出的光的波长在430nm以上。
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