[发明专利]高纵横比结构分析在审
| 申请号： | 201380052272.X | 申请日： | 2013-10-04 |
| 公开（公告）号： | CN104685348A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | S.H.李;S.斯通;J.布莱克伍德;M.施米德特 | 申请（专利权）人： | FEI公司 |
| 主分类号： | G01N23/00 | 分类号： | G01N23/00;B23K15/08;G01B15/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张凌苗;张懿 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 通过减小保护层与感兴趣特征之间的距离来减小高纵横比特征上的帘幕化伪像。例如，离子束可以与工件表面的一角度进行铣削以产生斜表面。向斜表面上沉积保护层，并且离子束通过保护层进行铣削以使感兴趣特征暴露以用于分析。斜铣削将保护层接近于感兴趣特征定位以减少帘幕化。 | ||
| 搜索关键词： | 纵横 结构 分析 | ||
【主权项】：
一种使用带电粒子束来使工件上的感兴趣区暴露的方法，包括：离子束以与工件顶表面的第一非法线角度铣削沟槽以使邻近于感兴趣区且相对于工件表面成角度的表面暴露；在邻近于感兴趣区的暴露表面的一部分上沉积保护层；离子束以基本上垂直于工件顶表面的角度铣削邻近于感兴趣区的表面的一部分以使感兴趣区暴露；以及通过带电粒子束成像来观察感兴趣区。
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