[发明专利]高纵横比结构分析

权利要求书

1. 一种使用带电粒子束来使工件上的感兴趣区暴露的方法，包括：

离子束以与工件顶表面的第一非法线角度铣削沟槽以使邻近于感兴趣区且相对于工件表面成角度的表面暴露；

在邻近于感兴趣区的暴露表面的一部分上沉积保护层；

离子束以基本上垂直于工件顶表面的角度铣削邻近于感兴趣区的表面的一部分以使感兴趣区暴露；以及

通过带电粒子束成像来观察感兴趣区。

2. 权利要求1的方法，其中，以与工件顶表面的第一非法线角度铣削沟槽包括在工件的具有多个高纵横比特征的区中铣削沟槽。

3. 权利要求2的方法，其中，所述多个高纵横比特征是孔。

4. 权利要求3的方法，其中，在邻近于感兴趣区的表面的一部分上沉积保护层包括覆盖通过铣削通过高纵横比孔的沟槽而产生的台阶。

5. 权利要求1的方法，还包括基本上垂直于工件顶表面执行后续铣削步骤以使感兴趣区的第二表面暴露，并使用带电粒子束成像来查看第二表面。

6. 权利要求1的方法，还包括执行多个后续铣削步骤以顺序地使感兴趣区的不同表面暴露并使用带电粒子束成像来查看每个不同的表面。

7. 权利要求1的方法，其中，以与工件顶表面的第一非法线角度铣削沟槽包括铣削这样的沟槽，所述沟槽具有与工件表面的法线成5°和50°之间的角度的壁。

8. 权利要求7的方法，其中，铣削沟槽包括铣削这样的沟槽，所述沟槽具有与工件表面的法线成约18°至约22°的角度的壁。

9. 权利要求1的方法，其中，在邻近于感兴趣区的表面的一部分上沉积保护层包括使用束致沉积。

10. 权利要求9的方法，其中，使用束致沉积包括使用具有大于10 keV的能量的电子的电子束致沉积。

11. 权利要求10的方法，其中，使用电子束致沉积包括使用具有大于20 keV的能量的电子的电子束致沉积。

12. 权利要求1的方法，其中，在邻近于感兴趣区的表面的一部分上沉积保护层包括使用激光致沉积或离子束致沉积来沉积使用保护层。

13. 权利要求1的方法，其中，感兴趣区包括3D NAND结构或3D DRAM结构的一部分。

14. 一种产生高纵横比结构的一部分的横截面以用于观察的方法，包括：

以与样本的表面的非法线角度且以与高纵横比特征的长轴的非法线角度使用聚焦离子束来铣削沟槽；

在高纵横比特征的所选深度处的沟槽的壁上沉积保护层；

使用带电粒子束铣削通过保护层且基本上平行于样本的表面的横截面以使高纵横比特征的横截面暴露；以及

观察暴露横截面。

15. 权利要求14的方法，其中，观察暴露横截面包括扫描电子显微术、x射线分析、显微拉曼或其他方法。

16. 权利要求14的方法，还包括铣削通过平行于第一横截面的保护层的第二横截面以使感兴趣区的第二横截面暴露。

17. 权利要求14的方法，还包括顺序地使用带电粒子束铣削通过保护层的横截面，并且使用电子束来观察暴露横截面以形成感兴趣区中的特征的一系列横截面图像。

18. 权利要求14的方法，其中，使用电子束致沉积包括指引具有大于15 keV的能量的电子。

19. 权利要求14的方法，其中，在沟槽的壁上沉积保护层包括使用束致沉积来沉积保护层。

20. 一种分析工件的第一表面下面的感兴趣区的方法，包括：

将离子束朝着工件指引以去除工件的第一表面与感兴趣区之间的材料以产生第二表面，第二表面的一部分在感兴趣区与第一表面的位置之间；

向第二表面沉积保护层；

指引离子束以通过保护层进行铣削以产生第三表面以用于分析，第三表面穿过感兴趣区；以及

通过带电粒子束成像来观察感兴趣区，第二表面上的保护层充分地接近于感兴趣特征，使得感兴趣区在没有帘幕化的情况下被暴露以用于观察。

21. 权利要求20的方法，其中，第三表面基本上垂直于第一表面。