[发明专利]双模式倾斜充电装置及方法在审
| 申请号： | 201380051239.5 | 申请日： | 2013-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN104685628A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 加布里埃尔·沃尔特 | 申请（专利权）人： | 量子电镀光学系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/14 | 分类号： | H01L27/14;H01L27/30 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林彦 |
| 地址： | 马来西*** | 国省代码： | 马来西亚;MY |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于提供一装置且将所述装置在第一模式中操作为发光晶体管及在第二模式中操作为高速电晶体管的方法，其包含以下步骤：在第二半导体类型的半导体射极区与集电极区之间提供第一导电性类型的半导体基极区；在所述基极区中提供量子大小区；在所述基极区中所述量子大小区与所述集电极区之间提供载流子跃迁区；相对于所述基极区及所述集电极区施加可控制偏置电压以控制至少所述载流子跃迁区中的载流子的耗尽；及相对于所述射极区、所述基极区及所述集电极区施加信号以取决于所述受控偏置信号而将所述装置操作为发光晶体管或高速电晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 双模 倾斜 充电 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种用于提供一装置且将所述装置在第一模式中操作为发光晶体管及在第二模式中操作为高速电晶体管的方法，其包括以下步骤：在第二半导体类型的半导体射极区与集电极区之间提供第一导电性类型的半导体基极区；在所述基极区中提供量子大小区；在所述基极区中所述量子大小区与所述集电极区之间提供载流子跃迁区；相对于所述基极区及所述集电极区施加可控制偏置电压以控制至少所述载流子跃迁区中的载流子的耗尽；以及相对于所述射极区、所述基极区及所述集电极区施加信号以取决于所述受控偏置信号而将所述装置操作为发光晶体管或高速电晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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