[发明专利]发光元件有效
| 申请号： | 201380049610.4 | 申请日： | 2013-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN104662676B | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 韩大燮;文用泰;曹阿拉;白光善 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/22;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 周燕,夏凯 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施例包括发光器件、用于制造发光器件的方法、发光器件封装以及照明系统。根据本发明的一个实施例的发光器件，包括第一导电半导体层(112)；在第一导电半导体层(112)上的氮化镓组的超晶格层(124)；在氮化镓组的超晶格层(124)上的有源层(114)；以及在有源层(114)上的第二导电半导体层(116)，其中氮化镓组的超晶格层(124)具有在第一导电半导体层(112)到有源层(114)的方向上变化的带隙能级。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：第一导电半导体层；在所述第一导电半导体层上的GaN基超晶格层；在所述GaN基超晶格层上的有源层；以及在所述有源层上的第二导电半导体层，其中，所述GaN基超晶格层具有在从所述第一导电半导体层到所述有源层的方向上变化的带隙能级，其中，所述GaN基超晶格层包括第一组GaN基超晶格层、第二组GaN基超晶格层、以及第三组GaN基超晶格层，并且其中，所述第三组GaN基超晶格层包括第三组阱和第三组势垒，并且所述第三组阱的厚度比所述第三组势垒的厚度薄。
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