[发明专利]发光元件有效
| 申请号： | 201380049610.4 | 申请日： | 2013-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN104662676B | 公开（公告）日： | 2017-07-18 |
| 发明（设计）人： | 韩大燮;文用泰;曹阿拉;白光善 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/22;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 周燕,夏凯 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 元件 | ||
1.一种发光器件，包括：
第一导电半导体层；
在所述第一导电半导体层上的GaN基超晶格层；
在所述GaN基超晶格层上的有源层；以及
在所述有源层上的第二导电半导体层，
其中，所述GaN基超晶格层具有在从所述第一导电半导体层到所述有源层的方向上变化的带隙能级，
其中，所述GaN基超晶格层包括第一组GaN基超晶格层、第二组GaN基超晶格层、以及第三组GaN基超晶格层，并且
其中，所述第三组GaN基超晶格层包括第三组阱和第三组势垒，并且所述第三组阱的厚度比所述第三组势垒的厚度薄。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述第一组GaN基超晶格层具有第一带隙能；并且所述第二组GaN基超晶格层被形成在所述第一组GaN基超晶格层上并且具有比所述第一带隙能低的第二带隙能。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述第一带隙能和所述第二带隙能之间的级别差等于或者高于所述GaN基超晶格层的声能级。
4.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中，所述第一组GaN基超晶格层和所述第二组GaN基超晶格层之间的阱深度的差等于或者高于InGaN的声能。
5.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中，所述GaN基超晶格层包括多个能量步长并且通过将所述有源层的量子阱的深度除以最小的声能确定所述能量步长的数目。
6.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中，所述GaN基超晶格层包括InxGa1-xN/GaN超晶格层(0<x<1)。
7.根据权利要求6所述的发光器件，其中，所述第二组GaN基超晶格层中的铟的浓度高于所述第一组GaN基超晶格层中的铟的浓度。
8.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中，所述第一组GaN基超晶格层的厚度比所述第二组GaN基超晶格层的厚度薄。
9.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中，所述第一组GaN基超晶格层包括第一组阱和第一组势垒，并且所述第一组阱的厚度等于所述第一组势垒的厚度。
10.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中，所述第二组GaN基超晶格层包括第二组阱和第二组势垒，并且所述第二组阱的厚度等于所述第二组势垒的厚度。
11.根据权利要求9所述的发光器件，其中，所述第二组GaN基超晶格层包括第二组阱和第二组势垒，所述第二组阱的厚度等于所述第一组阱的厚度并且所述第二组势垒的厚度等于所述第一组势垒的厚度。
12.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述第三组GaN基超晶格层被形成在所述第二组GaN基超晶格层上并且具有第三带隙能。
13.根据权利要求12所述的发光器件，其中，所述第三组势垒被掺杂有第一导电元素。
14.根据权利要求13所述的发光器件，其中，被掺杂在所述第三组势垒中的所述第一导电元素包括Si。
15.根据权利要求13所述的发光器件，进一步包括在所述第三组势垒和所述有源层的量子阱之间的未被掺杂的GaN层。
16.根据权利要求15所述的发光器件，其中，所述未被掺杂的GaN层比所述第三组势垒薄。
17.根据权利要求12所述的发光器件，其中，所述第三组GaN基超晶格层包括第三组阱和第三组势垒，所述第二组GaN基超晶格层包括第二组阱和第二组势垒，所述第三组阱具有等于所述第二组阱的厚度的厚度，并且所述第三组势垒的厚度比所述第二组势垒的厚度厚。
18.根据权利要求17所述的发光器件，其中，所述第三组势垒被掺杂有第一导电元素。
19.根据权利要求17或权利要求18所述的发光器件，进一步包括在所述第三组势垒和所述有源层的量子阱之间的未被掺杂的GaN层。
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